[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构在审
| 申请号： | 202211313541.0 | 申请日： | 2022-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN115513122A | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 沈志钦 | 申请（专利权）人： | 杭州富芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L29/10;H01L29/739;H01L29/772;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种半导体结构制备方法，包括：形成沟槽于半导体衬底中；形成氧化层于半导体衬底的表面上以及沟槽的底部和侧壁；透过干法刻蚀部份刻蚀氧化层而形成氧化区，其中氧化区为阶梯状结构；部分刻蚀氧化区以暴露半导体衬底的边缘的表面，刻蚀后氧化区作为氧化隔离结构。透过半导体结构制备方法所制成的氧化隔离结构能适应纳米电子零件的隔离结构，而不会影响纳米电子零件的运作并减少有源区面积的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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