[发明专利]一种深紫外发光二极管外延片、制备方法及LED有效
| 申请号： | 202211291653.0 | 申请日： | 2022-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN115360277B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 郑文杰;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/12;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 何世磊 |
| 地址： | 330096 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种深紫外发光二极管外延片、制备方法及LED，外延片包括：衬底及依次沉积在所述衬底上的第一半导体层、多量子阱层、势垒调变层以及第二半导体层，所述势垒调变层包括依次沉积在所述多量子阱层上的非掺杂层、N型层以及P型层；所述非掺杂层包括依次沉积在所述多量子阱层上的U‑GaN层、U‑AlGaN层和U‑BGaN层，所述N型层包括依次沉积在所述非掺杂层上的N‑AlGaN层和N‑BGaN层，所述P型层包括依次沉积在所述N型层上的P‑AlGaN层和P‑BGaN层，本发明能够增加阻挡电子的势垒高度，抑制电子的溢流现象，同时增加了空穴的注入效率，提高了内量子效率并提高了发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 发光二极管 外延 制备 方法 led | ||
【主权项】：
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