[发明专利]半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法在审
| 申请号： | 202211267255.5 | 申请日： | 2022-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN115995250A | 公开（公告）日： | 2023-04-21 |
| 发明（设计）人： | 张晋熏;金经纶 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/4096 | 分类号： | G11C11/4096 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张川绪;方成 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括存储器单元阵列以及多个数据输入/输出(I/O)引脚。所述多个数据I/O引脚被配置为接收将被存储在存储器单元阵列中的写入数据或输出存储在存储器单元阵列中的读取数据。所述半导体存储器装置被配置为执行突发操作，在突发操作中，基于从外部存储器控制器接收的单个命令，包括多个数据位的单个数据集通过所述多个数据I/O引脚而被输入或输出。所述多个数据I/O引脚的数量对应于不是二的乘方的整数。表示突发操作的单位的突发长度对应于不是二的乘方的整数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 操作 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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