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[发明专利]半导体存储器装置及操作半导体存储器装置的方法-CN201811109758.3有效
发明人： 金经纶;尹炫喆 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置可包括存储单元阵列及存取控制电路。所述存储单元阵列可包括第一单元区及第二单元区。所述存取控制电路可响应于命令、存取地址及用于识别第一单元区及第二单元区的熔丝信息而以不同的方式存取所述第一单元区及所述第二单元区。所述命令及地址可从外部装置提供。也提供一种操作半导体存储器装置的方法。
半导体存储器装置操作方法

[发明专利]半导体存储器设备及其数据路径配置方法-CN201811285149.3有效
发明人：柳长佑;金经纶;金秀奂;梁熙钾 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：公开了半导体存储器设备，包括：单元阵列，其包括第一行块和第二行块；位线感测放大器块，其感测存储在第一行块或第二行块中的数据；局部感测放大器，其锁存从位线感测放大器块传送的感测的数据；以及开关，其响应于选择信号将局部感测放大器与第一全局数据线和第二全局数据线中的所选择的全局数据线连接。第二行块可以位于单元阵列的边缘处，并且当第一行块被激活时，开关将局部感测放大器与第一全局数据线连接，并且当第二行块被激活时，开关将局部感测放大器与第二全局数据线连接。
半导体存储器设备及其数据路径配置方法

[发明专利]半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法-CN201910246502.5有效
发明人： 金经纶;吴伦娜;金衡辰;梁熙甲;柳长佑 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：公开了半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。一种方法包括：将第一存储器块的第一列常规存储器单元中的第一常规存储器单元的地址替换为目标地址，所述目标地址是第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址；并且将第一存储器块的第二列常规存储器单元中的第二常规存储器单元的地址重新分配给所述至少一个冗余块中的第一冗余块的第一冗余存储器单元的地址。
半导体存储器装置操作方法

[发明专利]具有数据输入和输出单元彼此不同的全局线组的存储设备-CN201811344643.2有效
发明人： 金经纶 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种存储设备，包括第一、第二、第三和第四存储单元组以及第一和第二发送器。第一和第二存储单元组共享第一局部线。第三和第四存储单元组共享第二局部线。第一发送器基于读取命令将第一数据发送到第一全局线。第一数据在第一局部线上从第一存储单元组和第二存储单元组中的一个输出。第二发送器基于读取命令将第二数据发送到第二全局线。第二数据在第二局部线上从第三存储单元组和第四存储单元组中的一个输出。第一全局线的数量与第二全局线的数量不同。
具有数据输入输出单元彼此不同全局存储设备

[发明专利]半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法-CN202211267255.5在审
发明人：张晋熏;金经纶 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： G11C11/4096 文献下载
摘要：提供半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括存储器单元阵列以及多个数据输入/输出(I/O)引脚。所述多个数据I/O引脚被配置为接收将被存储在存储器单元阵列中的写入数据或输出存储在存储器单元阵列中的读取数据。所述半导体存储器装置被配置为执行突发操作，在突发操作中，基于从外部存储器控制器接收的单个命令，包括多个数据位的单个数据集通过所述多个数据I/O引脚而被输入或输出。所述多个数据I/O引脚的数量对应于不是二的乘方的整数。表示突发操作的单位的突发长度对应于不是二的乘方的整数。
半导体存储器装置操作方法

[发明专利]存储器装置、存储器系统及存储器装置的操作方法-CN202210848021.3在审
发明人： 金经纶 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G11C7/22 文献下载
摘要：提供了一种存储器装置和操作存储器装置的方法。该存储器装置包括：包括多个存储器单元的存储器体；以及存储器接口电路，其被配置为基于命令/地址信号和数据信号将数据存储在所述多个存储器单元中，其中，所述存储器接口电路包括：被配置为分别接收第一时钟信号、第二时钟信号、第三时钟信号和第四时钟信号的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘；第一缓冲器电路，其被配置为响应于具有彼此相反的相位的第一时钟信号和第三时钟信号的激活时间而对命令/地址信号进行采样；以及第二缓冲电路，其被配置为响应于第一时钟信号的激活时间、第二时钟信号的激活时间、第三时钟信号的激活时间和第四时钟信号的激活时间来对数据信号进行采样。
存储器装置系统操作方法

[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的存储器系统-CN202210852607.7在审
发明人：崔宰珉;金用勋;郑在祐;金经纶;成侑昶;俞昌植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G11C7/22 文献下载
摘要：提供半导体装置和包括该半导体装置的存储器系统。半导体装置包括：多个焊盘，其连接到使用具有不同相位的第一时钟信号至第四时钟信号接收数据信号的存储器装置；数据发送/接收电路，其将数据信号输出到多个焊盘中的多个数据焊盘并从多个数据焊盘接收数据信号，并且包括调整数据信号的相位的数据延迟单元；时钟输出电路，其将第一时钟信号至第四时钟信号输出到多个焊盘中的多个时钟焊盘，并且包括调整第一时钟信号至第四时钟信号的相位的第一时钟延迟单元至第四时钟延迟单元；以及控制器，其调整第一时钟延迟单元至第四时钟延迟单元和数据延迟单元中的至少一个的延迟量，使得第一时钟信号至第四时钟信号中的每一个在存储器装置中与数据信号对齐。
半导体装置包括存储器系统

[发明专利]存储器设备的操作方法及包括其的电子设备的操作方法-CN202210215950.0在审
发明人：张晋熏;金经纶;金荣柱;李承俊;李泳斌;崔娟圭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：公开了一种与存储器控制器通信的存储器设备的操作方法，该方法包括：从存储器控制器接收第一命令，该第一命令指示数据时钟信号的同步的启动并且定义对应于该同步的时钟部分；在准备时间段期间准备数据时钟信号的转换；基于以参考频率转换的数据时钟信号处理第一数据流；以及基于以参考频率转换并且针对所定义的第一时钟部分的时段扩展的数据时钟信号处理第二数据流。
存储器设备操作方法包括电子设备

[发明专利]电压微调电路、存储器装置和该存储器装置的测试方法-CN202210205043.8在审
发明人：崔民淏;林栽成;金经纶;金大贤;裴元一;辛昊炫;郑尚勋;黄炯烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：公开了一种电压微调电路、存储器装置和存储器装置的测试方法。该电压微调电路包括：第一电阻电路，其具有由上升码和下降码确定的第一电阻值；第二电阻电路，其具有由上升码和下降码确定的第二电阻值；以及比较器，其被配置为通过将参考电压微调节点的电压电平与反馈节点的电压电平进行比较来输出电压检测信号，其中，当参考电压微调节点的电压电平高于反馈节点的电压电平时，电压检测信号调整上升码和下降码，以增大第一电阻值并且减小第二电阻值，并且当参考电压微调节点的电压电平低于或等于反馈节点的电压电平时，电压检测信号调整上升码和下降码，以减小第一电阻值并且增大第二电阻值。
电压微调电路存储器装置测试方法

[发明专利]存储器诊断系统-CN201710066100.8有效
发明人： 金经纶;朴起台 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-06 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器诊断系统。所述存储器诊断系统包括存储器装置和服务器。存储器装置包括：存储器模块，被配置为响应于参数控制信号调整操作参数；存储器控制器，被配置为响应于反馈信号生成参数控制信号；存储器状态监视器，被配置为监视存储器模块，以生成包括关于存储器模块的状态的信息的信息信号。服务器被配置为响应于信息信号生成反馈信号。
存储器诊断系统

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202111025401.9在审
发明人：金尚玧;金经纶;朴廷桓;崔娟圭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：一种存储器装置包括：第一电路；第二电路；以及自适应体偏压产生器，其被配置为接收频率检测信息或者温度检测信息，以响应于所述频率检测信息或者所述温度检测信息将第一正体偏压或者第一反体偏压施加至所述第一电路，并且响应于所述频率检测信息或者所述温度检测信息将第二正体偏压或者第二反体偏压施加至所述第二电路。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法-CN202010429014.0在审
发明人： 金经纶;吴伦娜;辛昊炫;李载镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：公开了半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括：多个段，设置在多个行块和多个列块的对应的交叉点处，每个行块包括结合到字线和位线的多个动态存储器单元；行解码器，响应于行地址，激活第一行块的第一字线；基于第一熔丝信息确定第一行块是否是主块以及确定第二行块是否被映射为主块的从属；激活第二行块的第二字线并输出行块信息信号；和列解码器，基于列地址、行块信息信号和第二熔丝信息访问结合到第一字线的多个第一存储器单元的部分或结合到第二字线的多个第二存储器单元的部分。
半导体存储器装置操作方法

[发明专利]存储装置、存储装置的操作方法和访问存储装置的方法-CN201510229596.7有效
发明人：张世正;金经纶;金男镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-05-07 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：提供一种存储装置、存储装置的操作方法和访问存储装置的方法。所述存储装置包括非易失性存储器和控制非易失性存储器的存储器控制器。检测温度。利用温度来计算当前加权时间。利用基于当前加权时间而调整的读取电压电平从非易失性存储器读取数据。当前加权时间是在所述温度下根据从存储数据的存储器单元泄漏的电荷的量来确定的。
存储装置操作方法访问方法

[发明专利]存储设备及其读取方法-CN201510388394.7有效
发明人：金润;庆桂显;金经纶;尹翔镛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：提供一种存储设备的读取方法，包括：基于存储编程时间根据时间戳表格以及指示由于编程经过时间所致的读取电平偏移的时间‑读取电平查找表来执行第一读操作；根据第一读操作的结果确定是否调整时间‑读取电平查找表；由于确定需要调整时间‑读取电平查找表的结果，通过谷搜索操作调整时间‑读取电平查找表；以及基于时间戳表格和调整的时间‑读取电平查找表执行第二读操作。
存储设备及其读取方法

[发明专利]信号发送和接收设备、存储器件及操作它们的方法-CN201911130434.2在审
发明人：李昶教;李东建;张晋熏;河庆洙;吴起硕;金经纶 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： G06F13/40 文献下载
摘要：提供了一种信号发送和接收设备、存储器件及操作它们的方法。所述信号发送和接收设备包括：第一片上端接电路，所述第一片上端接电路连接到通过其发送或接收第一信号的第一引脚，当所述第一片上端接电路被启用时，所述第一片上端接电路被配置为将第一端接电阻提供给与所述第一引脚连接的信号线；第二片上端接电路，所述第二片上端接电路连接到通过其发送或接收第二信号的第二引脚，当所述第二片上端接电路被启用时，所述第二片上端接电路被配置为将第二端接电阻提供给与所述第二引脚连接的信号线；以及片上端接控制电路，所述片上端接控制电路被配置为：独立地控制所述第一片上端接电路和所述第二片上端接电路中的每一个的启用时间和停用时间。
信号发送接收设备存储器件操作它们方法

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