[发明专利]一种单晶金刚石同质拼接及界面低应力调控方法在审
| 申请号： | 202211263691.5 | 申请日： | 2022-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN115573042A | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 王强;白洁;刘镭;卢月林;唐鹏;张川东;朱焕能;郑森杰 | 申请（专利权）人： | 重庆交通大学 |
| 主分类号： | C30B33/06 | 分类号： | C30B33/06;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58;C30B25/18;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 吕小琴 |
| 地址： | 400074 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开一种单晶金刚石同质拼接及界面低应力调控方法，在单晶金刚石籽晶连接界面采用金属催化法生成SiC纳米线,金属催化生长的SiC纳米线穿过金刚石晶体结构将单晶金刚石籽晶进行柔性连接；在单晶金刚石籽晶连接界面采用金属催化法生成SiC纳米线，以实现单晶金刚石微观柔性连接，这种异质连接界面稳定且能耐受金刚石生长的高温环境，且SiC纳米线在金刚石同质外延生长的全过程都保持了结构的完整性。通过SiC纳米线将单晶金刚石籽晶进行柔性连接，将有利于缓解单晶金刚石拼接界面同质外延生长时的应力累积效应，较大程度地减轻拼接界面的生长应力水平。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 同质 拼接 界面 应力 调控 方法 | ||
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- 2023-01-28 - 2023-04-07 - C30B33/06
- 本实用新型的实施例提供了一种籽晶粘接装置，涉及籽晶粘接技术领域。该籽晶粘接装置包括载台、压盘以及超声换能器。载台用于承载籽晶托，其中，籽晶托上设置有粘接剂以及待粘接的籽晶。压盘用于给籽晶通过粘接剂粘接至籽晶托上提供贴合压力。超声换能器用于产生超声波，以在籽晶粘接过程中作用于粘接剂。利用超声波的空化作用，粘接剂中产生大量空化气泡，随着空化气泡的产生和爆破产生微湍流和液体射流，造成剧烈的搅拌和传质过程。粘接剂内的气泡加速融合移动到粘接剂表面，并且，空化作用对粘接剂中有效成分进行分散和解团聚作用，能有效保持粘接剂分布的均一性。同时，通过压盘对籽晶进行施压，可以加速气体的释放。
- 一种用于氮化铝晶体生长的籽晶高温粘接设备及方法-202010701354.4
- 吴洁君;朱星宇;于彤军;赵起悦;韩彤;沈波 - 北京大学
- 2020-07-20 - 2023-03-28 - C30B33/06
- 本发明公布了一种用于氮化铝晶体生长的籽晶高温粘接设备及方法，包括籽晶，坩埚，氮化铝晶体生长炉，机械抛光及化学清洗设备和专用加热加压装置；对坩埚盖表面和籽晶背面进行预处理，籽晶放置在坩埚盖上；将坩埚盖在下放置到加热加压装置的样品台上；在籽晶正面预先放置表面没抛光过的牺牲晶片，对坩埚盖和籽晶进行加压操作；升温并保温；再缓慢降温并向加热室充入氮气到常压，将牺牲晶片上的压力传动装置缓慢卸载；将粘接好的籽晶和坩埚盖在氮化铝晶体生长炉中进行高温定型；由此得到粘接好的氮化铝籽晶。本发明可改善氮化铝单晶生长质量，且工序简单，有利于实现低成本的氮化铝单晶的制备。
- 一种硅棒防粘偏装置-202222731096.1
- 程正景;冯琰;王艺澄 - 江苏美科太阳能科技股份有限公司;包头美科硅能源有限公司
- 2022-10-18 - 2023-03-28 - C30B33/06
- 本实用新型涉及一种硅棒防粘偏装置，涉及晶棒加工领域，包括底座、定位装置及晶托调节装置，晶托设置于晶托调节装置上，晶托的表面设有塑料板，定位装置位于塑料板的两侧对塑料板定位调节；晶托调节装置包括晶托导轨基座、导轨及晶托固定块，导轨设置于晶托导轨基座上，导轨上设有两个晶托固定块，晶托固定块的一侧设有贯穿的通孔，通孔内设有螺丝将晶托固定块锁紧在导轨上，晶托设置于导轨上，两晶托固定块对晶托调节固定；定位装置包括规整气缸、气缸固定支架及位置调节螺栓，气缸固定支架上设有规整气缸，规整气缸的一端设有顶块，规整气缸的另一端设有位置调节螺栓；该装置有效控制粘棒精度，避免塑料板粘偏异常，提高粘棒效率。
- 键合态铜单晶及其原子级扩散键合工艺方法-202211654472.X
- 李鹏;庞磊;徐向前;舒予;田永君 - 燕山大学
- 2022-12-22 - 2023-03-21 - C30B33/06
- 本发明公开了键合态铜单晶及其原子级扩散键合工艺方法。对比了不同压力、升温速率以及保温时间对块体铜单晶之间扩散键合效果的影响。通过对焊缝处进行EBSD表征发现：将待焊面表面粗糙度降低至150nm以下，在小于20MPa的压力下在550～650℃下保温0.5～2h后可实现无再结晶的大块铜单晶样品有效焊合。通过TEM高分辨分析进一步证实了大块铜单晶之间首次实现了原子级的扩散键合。本发明操作方法简单、节能环保、可进行批量压焊处理，从而得到无明显焊缝原子级键合态铜单晶体。
- 一种晶体的键合浆料和键合方法及应用-202211571984.X
- 易学专;董永军;陈伟;华伟 - 南京光宝光电科技有限公司
- 2022-12-08 - 2023-03-21 - C30B33/06
- 本发明涉及一种晶体的键合浆料和键合方法及键合方法的应用。所述键合浆料由下述粉体按照百分比配料形成：SiO
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