[发明专利]一种从碳化硅晶锭中剥离晶片的方法和装置在审
| 申请号： | 202211262662.7 | 申请日： | 2022-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN115513043A | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 尹韶辉;邱蕾;钱泽梁;刘坚;路恩会;索鑫宇 | 申请（专利权）人： | 江苏优普纳科技有限公司;无锡市锡山区半导体先进制造创新中心 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B24B27/033;B24B7/22 |
| 代理公司： | 北京思睿峰知识产权代理有限公司 11396 | 代理人： | 谢建云;赵爱军 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种从碳化硅晶锭中剥离晶片的方法和装置，其中，碳化硅晶锭包括待剥离的晶片层、改质层和碳化硅基板，且改质层位于晶片层和碳化硅基板之间。本发明的从碳化硅晶锭中剥离晶片的方法包括：通过超声振动向碳化硅晶锭的改质层中注入预先备好的液体，待液体充满改质层后，对充入液体的碳化硅晶锭进行冷却处理，直至液体结冰使改质层膨胀断裂，晶片层与碳化硅基板分离，接着对分离后的晶片层进行磨削，得到晶片。本发明能够降低碳化硅晶片剥离时的材料损耗，从而可以有效提高碳化硅晶锭的利用率，并且本发明还能提高加工效率、降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶锭中 剥离 晶片 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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