[发明专利]一种从碳化硅晶锭中剥离晶片的方法和装置

权利要求书

1.一种从碳化硅晶锭中剥离晶片的方法，其中，所述碳化硅晶锭包括待剥离的晶片层、改质层和碳化硅基板，所述改质层位于所述晶片层和所述碳化硅基板之间，所述方法包括：

通过超声振动向所述碳化硅晶锭的改质层中注入预先备好的液体；

待所述液体充满所述改质层后，对充入液体的碳化硅晶锭进行冷却处理，直至所述液体结冰使改质层膨胀断裂，晶片层与碳化硅基板分离；

对分离后的晶片层进行磨削，得到所述晶片。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述液体为水或以能降低水的张力的物质为溶质的水溶液。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述液体存放在一容器内，相应地，通过超声振动向所述碳化硅晶锭的改质层中注入预先备好的液体，包括：

通过超声波振动装置使所述容器内的液体振动；

将所述碳化硅晶锭以其改质层的沟槽垂直于所述液体的表面的方向置入所述液体中。

4.如权利要求3所述的方法，其中，将所述碳化硅晶锭以其改质层的沟槽垂直于所述液体表面的方向置入所述液体中，包括：

以预定的速率将所述碳化硅晶锭按照所述方向置入所述液体中。

5.如权利要求3或4所述的方法，其中，对充入液体的碳化硅晶锭进行冷却处理，包括：

将充入液体的碳化硅晶锭进行旋转，以使其表面与所述液体的表面平行；

将旋转后的碳化硅晶锭从所述液体中平移至温度低于零度的环境下进行静置。

6.如权利要求1-5中任一项所述的方法，其中，对分离后的晶片层进行磨削，包括：

将残留在分离后的晶片层表面的碳化硅基板和改质层部分进行磨削去除。

7.如权利要求1-6中任一项所述的方法，其中，所述改质层的形成包括：

将对碳化硅晶锭具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在距碳化硅晶锭一表面的预定距离处，所述预定距离为所要剥离的晶片的厚度；

对碳化硅晶锭照射脉冲激光光线，形成所述改质层。

8.如权利要求3或4所述的方法，其中，将所述碳化硅晶锭以其改质层的沟槽垂直于所述液体的表面的方向置入所述液体中，包括：

通过夹持升降装置将所述碳化硅晶锭按照所述方向置入所述液体中。

9.如权利要求5所述的方法，其中，在对充入液体的碳化硅晶锭进行冷却处理时，通过抓取翻转转运装置将充入液体的碳化硅晶锭进行旋转，并将旋转后的碳化硅晶锭从所述液体中平移至温度低于零度的环境下进行静置。

10.一种从碳化硅晶锭中剥离晶片的装置，其中，所述碳化硅晶锭包括待剥离的晶片层、改质层和碳化硅基板，所述改质层位于所述晶片层和所述碳化硅基板之间，所述装置包括：

用于存放预先备好的液体的容器；

用于使所述容器内的液体振动的超声振动装置；

用于将所述碳化硅晶锭置入振动的液体中的夹持升降装置；

用于待所述液体充满所述碳化硅晶锭的改质层后，将充入液体的碳化硅晶锭转移至冷却装置中的抓取翻转转运装置；

用于对充入液体的碳化硅晶锭进行冷却处理，以使所述改质层因其内的液体结冰膨胀断裂，晶片层与碳化硅基板分离的冷却装置；以及

用于对分离后的晶片层进行磨削，得到所述晶片的磨削装置。