[发明专利]一种多晶硅还原炉生长系统在审
| 申请号： | 202211249262.2 | 申请日： | 2022-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN115626646A | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 杨明财;任长春;王生红 | 申请（专利权）人： | 亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海亚洲硅业硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京卓恒知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11394 | 代理人： | 孔鹏 |
| 地址： | 810007 青海*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种多晶硅还原炉生长系统，属于多晶硅生产技术领域，其包括炉体、上电极和下电极。上电极和下电极均安装于炉体内，且上电极位于炉体的顶部，下电极位于炉体的底部，上电极与下电极相对设置，且上电极和下电极均与炉体转动连接。硅芯安装于上电极与下电极之间，利用上电极和下电极能够带动硅芯转动。本发明公开的多晶硅还原炉生长系统通过设计旋转的上电极和下电极使硅棒在生长时进行旋转，解决了因炉内温场、流场分布不均匀而导致的硅棒出现阴阳面、凹坑以及在横梁处容易生长菜花料的问题，从而保证了硅棒的外观品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 还原 生长 系统 | ||
【主权项】：
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- 2018-03-07 - 2023-08-01 - C01B33/035
- 本申请的问题在于，提供一种多晶硅加工品的新型制造方法，其包含：防止在处理通过西门子法得到的多晶硅棒时，因存在于上述多晶硅棒端部的碳构件导致的多晶硅棒表面的碳污染的工序。本申请的技术方案在于，提供一种多晶硅加工品的制造方法，其特征在于，将在利用西门子法的反应器内使与电极连接的碳构件所保持的硅芯线析出多晶硅而得到的多晶硅棒，在其端部包含上述碳构件的状态下取出，在对上述多晶硅棒进行加工的方法中，包括：将上述多晶硅棒从上述电极卸下至进行加工为止的期间，使用包覆材料包覆存在于上述多晶硅棒的端部的碳构件，由此，在将多晶硅棒与碳构件隔离的状态下进行处理的工序。
- 多晶硅破碎物的制造方法、以及管理多晶硅破碎物的表面金属浓度的方法-201880027331.0
- 西村茂树 - 株式会社德山
- 2018-04-19 - 2023-08-01 - C01B33/035
- 本发明涉及一种多晶硅破碎物的制造方法，其包括：通过西门子法来制造多晶硅棒的工序；将该多晶硅棒破碎，得到多晶硅破碎物的工序；以及将该多晶硅破碎物在清洗槽内蚀刻来清洗的工序，在该清洗工序中，包括如下工序：使具有被控制的形状和尺寸的多晶硅小片组存在于清洗槽内，测定蚀刻处理前后的该多晶硅小片组的重量变化，管理清洗工序。另外，本发明涉及一种多晶硅破碎物的表面金属浓度的管理方法。
- 制备区熔用电子级多晶硅的方法和系统-202010120752.7
- 吴锋;赵培芝;孙江桥;李钊;韩秀娟 - 江苏鑫华半导体科技股份有限公司
- 2020-02-26 - 2023-08-01 - C01B33/035
- 本发明公开了制备区熔用电子级多晶硅的方法和系统。其中，制备区熔用电子级多晶硅的方法包括：(1)将三氯氢硅和氢气供给至反应器中进行第一阶段反应；(2)继续向所述反应器中供给三氯氢硅、氢气和二氯二氢硅，进行第二阶段反应；(3)继续向所述反应器中供给三氯氢硅、氢气和二氯二氢硅，进行第三阶段反应，得到区熔用电子级多晶硅。该方法可以产出内应力小、晶粒大小适中且分布均匀的区熔用电子级多晶硅产品。
- 高纯硅芯制备方法-202111592084.9
- 蔡延国;丁小海;杨明财;吉红平;张孝山;施光明;曹延德;肖建忠;宗冰;梁哲 - 亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海亚洲硅业半导体有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
- 2021-12-23 - 2023-08-01 - C01B33/035
- 本发明提供了一种高纯硅芯制备方法及制备装置，涉及多晶硅生产的技术领域，高纯硅芯制备方法包括以下步骤：启动阶段：将硅芯放置在反应容器中，提升硅芯的表面温度；向反应容器中通入预热物料，以令硅芯生长；生长阶段：向反应容器中通入预热物料，并提升硅芯表面温度，使硅棒快速生长；调整阶段：对硅棒进行修复；将修复后的硅棒自反应容器中取出，并进行切割，以形成多个高纯硅芯；其中，启动阶段预热物料的流量为800‑1200kg/h，生长阶段预热物料的流量为4000‑5500kg/h。上述高纯硅芯制备方法，能够缓解硅芯在制备过程中的杂质引入和硅芯质量不均匀的问题，从而提高生产质量。
- 一种多晶硅生产伴生二硅原料化利用方法及系统-202310641642.9
- 杨鹏;张杰;周迎春;李万存;马俊霞;李广;何紫微;王正云;陈朝霞 - 内蒙古润阳悦达新能源科技有限公司;宁夏润阳硅材料科技有限公司
- 2023-05-31 - 2023-07-28 - C01B33/035
- 本申请涉及一种多晶硅生产伴生二硅原料化利用方法及系统，通过塔侧级连四个分离塔在逐级对氢化氯硅烷除杂的同时，还能够实现氢化氯硅烷中DCS、TCS和STC的分离，且通过第五分离塔对混合物A进一步分离，避免因原料TCS中含有少量DCS或者因原料DCS中含有少量TCS干扰计算结果，从而能够使得精准控制原料TCS与原料DCS的配比，避免出现误差而影响还原工艺的稳定性，同时，将氢化氯硅烷通过本申请公开的多级分离方法得到的原料DCS代替现有技术中外购而来的DCS，能够减少降低购买成本及运输成本，有利于降低多晶硅生产成本，还能够避免因需要外购DCS而存在运输过程中安全性差、容易发生安全事故的问题。
- 多晶硅棒、多晶硅棒的制造方法以及多晶硅的热处理方法-202180078110.8
- 阪井纯也;箱守明 - 株式会社德山
- 2021-09-01 - 2023-07-25 - C01B33/035
- 本发明的目的在于提高多晶硅棒整体的纯度。在多晶硅棒(1)中，外侧总浓度(C1)为100pptw以下，且外侧总浓度(C1)相对于内侧总浓度(C2)的比率为1.0以上且2.5以下。
- 专利分类
