[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202211245849.6 | 申请日： | 2022-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN116525593A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 杜睿 | 申请（专利权）人： | 苏州华太电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京科慧致远知识产权代理有限公司 11739 | 代理人： | 王乾旭 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供了一种半导体器件，具体涉及半导体技术领域，该半导体器件包括：衬底；布线层，设置于所述衬底的表面，用于配置工作电路，所述布线层开设有至少一个通孔，所述通孔贯穿所述布线层并延伸至所述衬底，各所述通孔内填充有导电材料，所述导电材料通过导电组件接地。解决了目前的半导体表面积利用率较低的技术问题，达到了在实现噪声消除的同时进一步提高半导体器件表面积利用率的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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