[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

布线层，设置于所述衬底的表面，用于配置工作电路，所述布线层开设有至少一个通孔，所述通孔贯穿所述布线层并延伸至所述衬底，各所述通孔内填充有导电材料，所述导电材料通过导电组件接地。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述布线层至少包括多个用于设置所述工作电路的工作区，以及各工作区之间的隔离区；所述通孔开设于所述隔离区。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述布线层至少包括多个用于设置所述工作电路的工作区，以及各工作区之间的隔离区；所述通孔的数量为多个，多个所述通孔分别开设于各所述工作区。

4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述导电材料为钨或者钨合金。

5.根据权利要求1-3任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述通孔的内壁与所述导电材料构成的填充物之间设置有一层介质层，所述介质层、所述导电材料构成的填充物与所述衬底形成等效电容，所述等效电容用于吸收所述工作电路产生的噪声。

6.根据权利要求1-3任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述通孔伸入所述衬底的深度不小于2微米。

7.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述通孔的宽度与所述隔离区的宽度相等。

8.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述通孔与所述工作电路一一对应，所述通孔开设于所述工作电路的外周，用于将各所述工作电路分隔。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底为P型衬底。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为双极结型晶体管HBT、所述绝缘栅双极型晶体管IGBT、分离栅晶体管SGT、CMOS器件与场效应晶体管中的至少一种。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为所述绝缘栅双极型晶体管IGBT，所述通孔贯穿所述布线层中的掺杂漂移区与掺杂埋区并延伸至所述衬底。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为所述双极结型晶体管HBT、分离栅晶体管SGT、CMOS器件或场效应晶体管，所述通孔贯穿所述布线层中的掺杂漂移区延伸到掺杂埋区。