[发明专利]半导体器件

说明书

本申请实施例提供了一种半导体器件，具体涉及半导体技术领域，该半导体器件包括：衬底；布线层，设置于所述衬底的表面，用于配置工作电路，所述布线层开设有至少一个通孔，所述通孔贯穿所述布线层并延伸至所述衬底，各所述通孔内填充有导电材料，所述导电材料通过导电组件接地。解决了目前的半导体表面积利用率较低的技术问题，达到了在实现噪声消除的同时进一步提高半导体器件表面积利用率的技术效果。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体地，涉及一种半导体器件。

背景技术

半导体产品中一般都会设置有各种微型电路，其中包括了部分对于噪声敏感的电路，针对这类噪声敏感电路一般需要进行噪声隔离处理。目前较为常用的方法是将噪声较大的电路与该噪声敏感电路尽可能的分离开来，例如通过拉大两者之间的距离等方式。但是间隔距离的增大必然导致单位面积中的元胞数量减少，从而造成半导体面积的浪费。

因此，目前的半导体表面积利用率较低。

发明内容

本申请实施例中提供了一种半导体器件，包括：

衬底；

布线层，设置于衬底的表面，用于配置工作电路，布线层开设有至少一个通孔，通孔贯穿布线层并延伸至衬底，各通孔内填充有导电材料，导电材料通过导电组件接地。

在本申请一个可选的实施例中，布线层至少包括多个用于设置工作电路的工作区，以及各工作区之间的隔离区；通孔开设于隔离区。

在本申请一个可选的实施例中，布线层至少包括多个用于设置工作电路的工作区，以及各工作区之间的隔离区；通孔的数量为多个，多个通孔分别开设于各工作区。

在本申请一个可选的实施例中，导电材料为钨或者钨合金。

在本申请一个可选的实施例中，通孔的内壁与导电材料构成的填充物之间设置有一层介质层，介质层、导电材料构成的填充物与衬底形成等效电容，等效电容用于吸收工作电路产生的噪声。

在本申请一个可选的实施例中，通孔伸入衬底的深度不小于2微米。

在本申请一个可选的实施例中，通孔的宽度与隔离区的宽度相等。

在本申请一个可选的实施例中，通孔与工作电路一一对应，通孔开设于工作电路的外周，用于将各工作电路分隔。

在本申请一个可选的实施例中，衬底为P型衬底。

在本申请一个可选的实施例中，半导体器件为双极结型晶体管HBT、绝缘栅双极型晶体管IGBT、分离栅晶体管SGT、CMOS器件与场效应晶体管中的至少一种。

在本申请一个可选的实施例中，半导体器件为绝缘栅双极型晶体管IGBT，通孔贯穿布线层中的掺杂漂移区与掺杂埋区并延伸至衬底。

在本申请一个可选的实施例中，半导体器件为双极结型晶体管HBT、分离栅晶体管SGT、CMOS器件或场效应晶体管，通孔贯穿布线层中的掺杂漂移区延伸到掺杂埋区。

上述半导体器件，第一方面，本申请实施例提供的半导体器件通过在布线层开设有延伸至衬底的通孔，并在该通孔内填充有导电材料，在布线层中的工作电路产生噪声的情况下，通过导电材料将该噪声振动形成的电子流通道导电组件接地，避免该噪声对于其他对噪声较为敏感的工作电路的影响，从而实现了噪声消除的目的；第二方面，由于本申请实施例中的通孔是开设于布线层，并沿着衬底的方向延伸，可以通过纵向的深度来调节噪音的吸收程度或吸收效果，无需将噪声较大的工作电路与噪声敏感的工作电路拉开较大的间隔距离，也就节省了半导体器件的表面积，从而解决了目前的半导体表面积利用率较低的技术问题，达到了在实现噪声消除的同时进一步提高半导体器件表面积利用率的技术效果。

附图说明