[发明专利]p-NiO为盖层的AlGaN紫外光发光管和激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 202211245706.5 | 申请日： | 2022-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN115621390A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 杜国同;张源涛;邓高强 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/26;H01S5/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 刘世纯;王恩远 |
| 地址： | 130012 吉林省长春市*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： |
一种p‑NiO为盖层的AlGaN紫外光发光管和激光器及其制备方法，属于半导体发光器件及其制备技术领域。器件依次由衬底、Al |
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| 搜索关键词： | nio 盖层 algan 紫外光 发光 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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