[发明专利]p-NiO为盖层的AlGaN紫外光发光管和激光器及其制备方法

权利要求书

1.一种p-NiO为盖层的AlGaN紫外光发光管，依次由衬底(1)、衬底(1)上面制备的GaN缓冲层(12)、GaN缓冲层(12)上制备的n型掺Si的Al_yGa_1-yN外延下限制层(2)、Al_yGa_1-yN下限制层(2)上面制备的相互分立的Al_xGa_1-xN材料多量子阱有源发光层(3)和下电极(7)、Al_xGa_1-xN材料有源发光层(3)上面制备的p型掺Mg的Al_zGa_1-zN电子限制层(4)、Al_zGa_1-zN电子限制层(4)上制备的盖层(5)、盖层(5)上面制备的上电极(6)构成，其特征在于：衬底(1)是Al₂O₃或Si晶体片；盖层(5)是p-NiO，空穴浓度为1×10¹⁸/cm³～9.9×10²⁰/cm³；Al_xGa_1-xN材料多量子阱有源发光层(3)由阱层Al_x1Ga_1-x1N和垒层Al_x2Ga_1-x2N交替构成，x₁在0～0.7之间选择，x₂值比x₁值大0.05～0.2，y值和z值均比x₁值大0.1～0.5。

2.一种p-NiO为盖层兼作电子限制层的AlGaN紫外光发光管，依次由衬底(1)、衬底(1)上面制备的GaN缓冲层(12)、GaN缓冲层(12)上制备的n型掺Si的Al_yGa_1-yN外延下限制层(2)、Al_yGa_1-yN下限制层(2)上面制备的相互分立的Al_xGa_1-xN材料多量子阱有源发光层(3)和下电极(7)、Al_xGa_1-xN材料多量子阱有源发光层(3)上制备的盖层(5)、盖层(5)上面制备的上电极(6)构成，其特征在于：衬底(1)是Al₂O₃或Si晶体片；盖层(5)是p-NiO，空穴浓度为1×10¹⁸/cm³～9.9×10²⁰/cm³；Al_xGa_1-xN材料多量子阱有源发光层(3)由阱层Al_x1Ga_1-x1N和垒层Al_x2Ga_1-x2N交替构成，x₁值在0～0.7之间选择，x₂值比x₁值大0.05～0.2，y值比x₁值大0.1～0.5。