[发明专利]纳米材料及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201911383589.7 | 申请日： | 2019-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN113045735A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;C08K3/22;H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;B82Y30/00;B82Y40/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纳米材料，所述纳米材料为核壳结构纳米材料，包括NiO纳米颗粒和包覆在所述NiO纳米颗粒表面的PEDOT壳层。本发明实施例提供的纳米材料核壳结构纳米材料，通过在所述NiO纳米颗粒表面包覆PEDOT壳层，PEDOT壳层发挥载体作用，可以阻断NiO纳米颗粒之间的团聚，从而获得尺寸分布均匀的纳米颗粒，并提高NiO/PEDOT核壳纳米材料的稳定性。同时，由于PEDOT相对于NiO具有较低的空轨道能级，因此，将NiO和PEDOT复合后，电子从NiO的HOMO能级向PEDOT的空轨道发生数量相对较多的电子转移，从而形成了较多的自由空穴，提高了纳米材料的空穴传输性能。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 材料 及其 制备 方法 量子 发光二极管 | ||
【主权项】：
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