[发明专利]一种LED芯片制作方法在审
| 申请号： | 202211242147.2 | 申请日： | 2022-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN115579443A | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 洪加添;翁晓佩;何勇;黄家柳 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 唐燕玲 |
| 地址： | 350000 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种LED芯片制作方法，包括步骤：在LED芯片半成品上使用氩气按照预设直流功率和预设射频功率进行底层溅射，形成初始透明导电层，所述预设直流功率小于或等于90W，所述预设射频功率小于或等于300W；在所述初始透明导电层上使用氩气和氧气进行顶层溅射，得到蒸镀了透明导电层的LED芯片半成品，即在底层溅射时，使用无氧溅射，减少氧负离子对基片P型氮化镓的轰击效应，同时使用低功率溅射，以此匹配低溅射速率，改变铟锡氧化物结晶性，提高所沉积薄膜与基片界面处形成化合物中间层效果，增加与基片P型氮化镓的致密接触，减少接触电阻，从而有效避免溅射刻蚀所造成的波动性电压升高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
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