[发明专利]一种LED芯片制作方法

权利要求书

1.一种LED芯片制作方法，其特征在于，包括步骤：

在LED芯片半成品上使用氩气按照预设直流功率和预设射频功率进行底层溅射，形成初始透明导电层，所述预设直流功率小于或等于90W，所述预设射频功率小于或等于300W；

在所述初始透明导电层上使用氩气和氧气进行顶层溅射，得到蒸镀了透明导电层的LED芯片半成品。

2.根据权利要求1所述的一种LED芯片制作方法，其特征在于，所述预设直流功率包括第三预设直流功率；

所述预设射频功率包括第三预设射频功率；

所述在LED芯片半成品上使用氩气按照预设直流功率和预设射频功率进行底层溅射，形成初始透明导电层包括：

在所述ITO机台的腔体通入60～80sccm的氩气并按照第三预设直流功率、第三预设射频功率以及第三预设转盘转速对LED芯片半成品进行底层溅射400～600s，形成初始透明导电层。

3.根据权利要求2所述的一种LED芯片制作方法，其特征在于，所述第三预设直流功率为70～90W，所述第三预设射频功率为200～300W，所述第三预设转盘转速为0.1～0.15r/min。

4.根据权利要求2所述的一种LED芯片制作方法，其特征在于，所述预设直流功率还包括第一预设直流功率和第二预设直流功率；

所述预设射频功率还包括第一预设射频功率和第二预设射频功率；

所述在所述ITO机台的腔体通入60～80sccm的氩气并按照第三预设直流功率、第三预设射频功率以及第三预设转盘转速对LED芯片半成品进行底层溅射400～600s，形成初始透明导电层之前包括：

在ITO机台的腔体通入150～250sccm的氩气并按照第一预设直流功率、第一预设射频功率以及第一预设转盘转速对靶材进行初步预热10～30s，得到第一初步预热后的靶材；

在所述ITO机台的腔体通入60～80sccm的氩气并按照第二预设直流功率、第二预设射频功率以及第二预设转盘转速对所述第一初步预热后的靶材进行充分预热50～70s，得到第一充分预热的靶材。

5.根据权利要求4所述的一种LED芯片制作方法，其特征在于，所述第一预设直流功率为25～35W，所述第一预设射频功率为90～110W，所述第一预设转盘转速为5～6r/min；

所述第二预设直流功率为70～90W，所述第二预设射频功率为200～300W，所述第二预设转盘转速为5～6r/min。

6.根据权利要求1所述的一种LED芯片制作方法，其特征在于，所述在所述初始透明导电层上使用氩气和氧气进行顶层溅射，得到蒸镀了透明导电层的LED芯片半成品包括：

在ITO机台的腔体通入60～80sccm的氩气以及0.3～0.8sccm的氧气按照120～160W的直流功率、350～450W的射频功率以及5～6r/min的转盘转速对所述初始透明导电层进行顶层溅射500～600s，得到蒸镀了透明导电层的LED芯片半成品。

7.根据权利要求6所述的一种LED芯片制作方法，其特征在于，所述在ITO机台的腔体通入60～80sccm的氩气以及0.3～0.8sccm的氧气按照120～160W的直流功率、350～450W的射频功率以及5～6r/min的转盘转速对所述初始透明导电层进行顶层溅射500～600s，得到蒸镀了透明导电层的LED芯片半成品之前包括：

在ITO机台的腔体通入60～80sccm的氩气以及0.3～0.8sccm的氧气按照100～120W的直流功率、300～350W的射频功率以及5～6r/min的转盘转速对靶材进行初步预热10～30s，得到第二初步预热后的靶材；

在所述ITO机台的腔体通入60～80sccm的氩气以及0.3～0.8sccm的氧气按照120～160W的直流功率、350～450W的射频功率以及5～6r/min的转盘转速对所述第二初步预热后的靶材进行充分预热50～70s，得到第二充分预热的靶材。