[发明专利]一种LED芯片制作方法

说明书

本发明公开一种LED芯片制作方法，包括步骤：在LED芯片半成品上使用氩气按照预设直流功率和预设射频功率进行底层溅射，形成初始透明导电层，所述预设直流功率小于或等于90W，所述预设射频功率小于或等于300W；在所述初始透明导电层上使用氩气和氧气进行顶层溅射，得到蒸镀了透明导电层的LED芯片半成品，即在底层溅射时，使用无氧溅射，减少氧负离子对基片P型氮化镓的轰击效应，同时使用低功率溅射，以此匹配低溅射速率，改变铟锡氧化物结晶性，提高所沉积薄膜与基片界面处形成化合物中间层效果，增加与基片P型氮化镓的致密接触，减少接触电阻，从而有效避免溅射刻蚀所造成的波动性电压升高。

技术领域

本发明涉及半导体电子技术领域，尤其涉及一种LED芯片制作方法。

背景技术

铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)薄膜是一种用途广泛的透明导电材料。因为其具有良好的透光率及低电阻，在LED芯片工艺中常用来作为电极扩展层来增加LED的发光效率。ITO薄膜制备目前采用较广的是直流磁控溅射法及配置相应的ITO溅射机台。在ITO溅射时，除了对靶材进行溅射为主的溅射成膜；也有对基片进行溅射的溅射刻蚀。而LED芯片工艺所用的基片材料为氮化镓，较大能量的溅射刻蚀下，粒子能量会轰击到所沉积的基片材料，将损伤基片上的P型氮化镓表层，造成电压升高等参数异常。

现有的膜层结构及溅射方法为了减少P型氮化镓损伤，一般通过调低溅射功率来适当解决，虽然可一定程度的减少电性异常，但由于溅射刻蚀不可避免的存在，对基片的轰击无法消除，仍存在波动性电压升高的异常现象。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种LED芯片制作方法，能够有效避免溅射刻蚀所造成的波动性电压升高。

为了解决上述技术问题，本发明采用的一种技术方案为：

一种LED芯片制作方法，包括步骤：

在LED芯片半成品上使用氩气按照预设直流功率和预设射频功率进行底层溅射，形成初始透明导电层，所述预设直流功率小于或等于90W，所述预设射频功率小于或等于300W；

在所述初始透明导电层上使用氩气和氧气进行顶层溅射，得到蒸镀了透明导电层的LED芯片半成品。

本发明的有益效果在于：在LED芯片半成品上使用氩气按照预设直流功率和预设射频功率进行底层溅射，形成初始透明导电层，预设直流功率小于或等于90W，预设射频功率小于或等于300W，在初始透明导电层上使用氩气和氧气进行顶层溅射，得到蒸镀了透明导电层的LED芯片半成品，即在底层溅射时，使用无氧溅射，减少氧负离子对基片P型氮化镓的轰击效应，同时使用低功率溅射，以此匹配低溅射速率，改变铟锡氧化物结晶性，提高所沉积薄膜与基片界面处形成化合物中间层效果，增加与基片P型氮化镓的致密接触，减少接触电阻，从而有效避免溅射刻蚀所造成的波动性电压升高。

附图说明

图1为本发明实施例的一种LED芯片制作方法的步骤流程图。

具体实施方式

为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。

请参照图1，本发明实施例提供了一种LED芯片制作方法，包括步骤：

在LED芯片半成品上使用氩气按照预设直流功率和预设射频功率进行底层溅射，形成初始透明导电层，所述预设直流功率小于或等于90W，所述预设射频功率小于或等于300W；

在所述初始透明导电层上使用氩气和氧气进行顶层溅射，得到蒸镀了透明导电层的LED芯片半成品。