[发明专利]一种用于碳化硅芯片的耐压性检测装置及其检测方法在审

专利信息
申请号: 202211190655.0 申请日: 2022-09-28
公开(公告)号: CN115628985A 公开(公告)日: 2023-01-20
发明(设计)人: 张振中;孙军;郝建勇 申请(专利权)人: 苏州中瑞宏芯半导体有限公司
主分类号: G01N3/12 分类号: G01N3/12;G01N3/02;B08B1/00;B08B5/02
代理公司: 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) 32246 代理人: 朱斌兵
地址: 215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明属于耐压检测技术领域,且公开了一种用于碳化硅芯片的耐压性检测装置,包括放置台,所述放置台的顶面开设有定位槽,所述定位槽的内部设有放置板,所述放置台的正面开设有侧边槽,所述放置台的底面固定连接有固定板。本发明通过在放置台的正面开设侧边槽,使得侧边槽与定位槽连通,并利用压力机构配合油箱将固定管和套管中的压力油回流,从而使得检测后的碳化硅芯片向下移动至侧边槽的内部,并利用气泵提供动力空气,将动力空气引入至侧边槽的内部后,将内部的碳化硅芯片吹出,实现检测后碳化硅芯片的便捷出料,避免从定位槽中逐一拾取,从而大大提高了碳化硅的实际检测效率,操作简单,使用效果好。
搜索关键词: 一种 用于 碳化硅 芯片 耐压性 检测 装置 及其 方法
【主权项】:
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