[发明专利]一种制备稀土元素掺杂二维过渡金属硫族化合物异质结的特殊方法在审
| 申请号： | 202211179760.4 | 申请日： | 2022-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN115376926A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 刘红军;王欢;景芳丽;胡章贵;吴以成 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/02;H01L29/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备稀土元素掺杂二维过渡金属硫族化合物异质结的特殊方法，清洗硅片基底，分别称取钼酸铵四水合物，胆酸钠和三价稀土氯化物，PVP、NVP与PVA来制备掺杂二维过渡金属硫族化合物前驱体和转移液；将硅片放入匀胶机，旋涂前驱体溶液；在管式炉进气处置放盛满正十二硫醇的瓷舟，硅片放置在管式炉膛中心位置；通入载气，进行加热生长，生长完成后，利用转移液转移，使用转移平台与另一个生长有二维过渡金属硫族化合物的硅片进行堆叠，制备异质结，最后去除转移膜，异质结制备完成。利用液相辅助CVD生长方法，实现了将稀土元素掺杂进二维过渡金属硫族化合物，利用改进的湿法转移，减少了化学药品对样品的污染，并保证了转移后异质结的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 稀土元素 掺杂 二维 过渡 金属 化合物 异质结 特殊 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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