[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
申请号: | 202211175947.7 | 申请日: | 2022-09-26 |
公开(公告)号: | CN116264210A | 公开(公告)日: | 2023-06-16 |
发明(设计)人: | 黄世罗 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L23/532 | 分类号: | H01L23/532;H01L21/768 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;李少丹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括:电介质结构,在电介质结构中,刻蚀停止结构和低k层交替地堆叠在衬底之上;以及在电介质结构中的金属互连,金属互连电连接至衬底,其中,刻蚀停止结构中的每一个包括:包括氢阻挡材料的第一刻蚀停止层;以及形成在第一刻蚀停止层之上的第二刻蚀停止层。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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