[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

电介质结构，在所述电介质结构中，刻蚀停止结构和低k层交替地堆叠在衬底之上；以及

在所述电介质结构中的金属互连，所述金属互连电连接至所述衬底，

其中，所述刻蚀停止结构中的每一个包括：

第一刻蚀停止层，其包括氢阻挡材料；以及

第二刻蚀停止层，其形成在所述第一刻蚀停止层之上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一刻蚀停止层包括富硅的硅氮化物，所述富硅的硅氮化物具有比氮化硅Si₃N₄高的硅含量。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二刻蚀停止层包括含碳的硅氮化物。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二刻蚀停止层包括SiCN。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一刻蚀停止层的厚度小于所述第二刻蚀停止层的厚度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，每一个所述刻蚀停止结构的厚度小于每一个所述低k层的厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述低k层包括含碳和氢的硅氧化物SiCOH。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在所述电介质结构之上的氢供应层。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述氢供应层包括高密度等离子体HDP氧化物、硅氮化物或其组合。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述刻蚀停止结构还包括：

在所述第二刻蚀停止层之上的第三刻蚀停止层，所述第三刻蚀停止层包括另一种氢阻挡材料。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第三刻蚀停止层包括富硅的硅氮化物，所述富硅的硅氮化物具有比氮化硅Si₃N₄高的硅含量。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属互连包括多层级金属互连。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬底设有包括栅极电介质层的晶体管。

14.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

形成电介质结构，在所述电介质结构中，刻蚀停止结构和低k层交替地堆叠在设有包括栅极电介质层的晶体管的衬底之上；以及

在所述电介质结构中形成金属互连，所述金属互连电连接至所述衬底，

其中，所述刻蚀停止结构中的每一个包括：

第一刻蚀停止层，其包括氢阻挡材料；以及

第二刻蚀停止层，其形成在所述第一刻蚀停止层之上。

15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括：

在所述电介质结构中形成电连接至所述衬底的所述金属互连之后，执行用于向所述衬底的表面供应氢的退火工艺。

16.根据权利要求14所述的方法，还包括：

在所述电介质结构中形成电连接至所述衬底的所述金属互连之后，

在所述电介质结构之上形成氢供应层；以及

执行用于向所述衬底的表面供应氢的退火工艺。

17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一刻蚀停止层和所述第二刻蚀停止层原位形成在相同的腔体中。