[发明专利]二氧化锡薄膜及其制备方法和应用

摘要

本申请提供一种二氧化锡薄膜的制备方法，包括以下步骤：通过原子层沉积技术在衬底上沉积二氧化锡薄膜，其中在沉积过程中，包含使用第一氧源和第二氧源交替作为氧源与锡金属有机源发生反应的步骤；所述第一氧源选自水、过氧化氢中的一种或两种，所述第二氧源选自臭氧、氧气、一氧化氮、二氧化氮、等离子体活化的臭氧、等离子体活化的氧气、等离子体活化的一氧化氮、或等离子体活化的二氧化氮中的一种或两种以上。本申请通过采用第二氧源加第一氧源交替式提供氧源的方式改变了原来单一氧源的缺陷，利用第二氧源较强的氧化性降低所制备氧化锡晶体结构中的缺陷，获得较完美的晶体结构，提升成膜质量，最终提升器件的填充因子和电子传输能力。