[发明专利]一种拓扑晶体管的制作方法及拓扑晶体管在审
| 申请号： | 202211147940.4 | 申请日： | 2022-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN115483275A | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 徐双双;王晓磊;项金娟;李宋伟;段佳辉;戴塞飞;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种拓扑晶体管的制作方法及拓扑晶体管，涉及晶体管制造技术领域，以对传统的硅基晶体管栅电极施加电场时，会导致较多的能量损耗，进而增加器件的功耗的问题。所述拓扑晶体管的制作方法包括：提供一衬底；在衬底上形成二氧化硅层；在二氧化硅层上形成第一拓扑绝缘体层；在第一拓扑绝缘体层上形成堆叠结构；对第一拓扑绝缘体层进行电场诱导处理，得到包括产生拓扑相变的第二拓扑绝缘体层的拓扑晶体管。所述拓扑晶体管使用上述技术方案所提的拓扑晶体管的制作方法制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 拓扑 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
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