[发明专利]一种拓扑晶体管的制作方法及拓扑晶体管

权利要求书

1.一种拓扑晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成二氧化硅层；

在所述二氧化硅层上形成第一拓扑绝缘体层；

在所述第一拓扑绝缘体层上形成堆叠结构；

对所述第一拓扑绝缘体层进行电场诱导处理，得到包括产生拓扑相变的第二拓扑绝缘体层的拓扑晶体管。

2.根据权利要求1所述的拓扑晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一拓扑绝缘体层的材料包括氧化铪。

3.根据权利要求1所述的拓扑晶体管的制作方法，其特征在于，在所述二氧化硅层上形成第一拓扑绝缘体层，包括：

通过机械或化学剥离、分子束外延、化学气相沉积或物理气相沉积的方式在所述二氧化硅层上形成所述第一拓扑绝缘体层。

4.根据权利要求1所述的拓扑晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一拓扑绝缘体层的厚度范围为大于等于25埃，且小于等于35埃。

5.根据权利要求1所述的拓扑晶体管的制作方法，其特征在于，所述电场诱导处理中施加的电场强度范围为4MV/cm-5MV/cm。

6.根据权利要求1-5任一项所述的拓扑晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所述第一拓扑绝缘体层上形成堆叠结构，包括：

在所述第一拓扑绝缘体层上形成栅极；

对所述第一拓扑绝缘体层进行离子注入处理，形成源极区和漏极区；

在形成所述源极区和漏极区的所述第一拓扑绝缘体层上沉积绝缘层；

自所述绝缘层的顶部向下按照多个预设位置进行刻蚀处理，形成通孔；

对所述通孔进行金属填充处理，得到所述堆叠结构；

其中，填充的金属材料包括钨、钴或者镍。

7.根据权利要求6所述的拓扑晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所述第一拓扑绝缘体层上形成栅极，包括：

在所述第一拓扑绝缘体层上沉积栅介质层；

在所述栅介质层上沉积栅金属层；

对所述栅金属层和所述栅介质层进行刻蚀处理，得到所述栅极。

8.根据权利要求7所述的拓扑晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅介质层的材料包括氮氧化硅、氮化硅、铪硅氧化物或氮氧化铪硅。

9.根据权利要求7所述的拓扑晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅金属层的材料包括氮化钛、多晶硅或铝。

10.一种拓扑晶体管，其特征在于，使用权利要求1-9任一项所述拓扑晶体管的制作方法制作，所述拓扑晶体管包括：

衬底，以及依次形成在所述衬底上的二氧化硅层、第二拓扑绝缘体层和堆叠结构；

其中，所述第二拓扑绝缘体层为对第一拓扑绝缘体层进行电场诱导处理后得到的拓扑绝缘体层。