[发明专利]一种氢氟酸刻蚀太阳能电池用半导体硅片装置

摘要

本发明提供了一种氢氟酸刻蚀太阳能电池用半导体硅片装置，属于半导体器件技术领域。本发明提供的一种氢氟酸刻蚀太阳能电池用半导体硅片装置，包括刻蚀组件及加热组件，刻蚀组件包括传输轨道及酸液槽，硅片放置在传输轨道上，硅片的下端面与氢氟酸接触；加热组件包括导体线圈与电源件，电源件设置在导体线圈的两端，导体线圈沿着传输轨道的传送方向设置，导体线圈设置在硅片的外侧，电源件供电产生交流电流，导体线圈在交流电流的作用下产生交变的磁场，所产生的磁场穿过硅片引起感应电动势和涡流，涡流使硅片发热，温度升高。本发明提供的一种氢氟酸刻蚀太阳能电池用半导体硅片装置，通过提高了反应温度，提高了生产效率，提升了产能。