[发明专利]一种氢氟酸刻蚀太阳能电池用半导体硅片装置

权利要求书

1.一种氢氟酸刻蚀太阳能电池用半导体硅片装置，其特征在于，包括：

刻蚀组件，包括传输轨道和酸液槽，所述酸液槽用于盛装氢氟酸，所述传输轨道设置在所述酸液槽内的液面位置，硅片放置在所述传输轨道上，随着所述传输轨道自所述酸液槽的入口端传送至所述酸液槽的出口端，硅片的下端面与氢氟酸接触，对硅片下端面的硼硅玻璃进行腐蚀；以及

加热组件，包括导体线圈与电源件，所述电源件设置在所述导体线圈的两端，所述导体线圈沿着所述传输轨道的传送方向设置，所述导体线圈设置在硅片的外侧，所述电源件为交流电源件，所述电源件供电产生交流电流，所述导体线圈在交流电流的作用下发生电磁感应效应，所产生的磁场穿过硅片，在硅片体内产生感应电动势和涡流，涡流使硅片发热，温度升高；

还包括光源件，所述光源件设置在硅片的上方，所述光源件发出的光线照射在硅片上，激发硅片体内的载流子，改变硅片的电导率，提高电磁感应的涡流强度。

2.如权利要求1所述的一种氢氟酸刻蚀太阳能电池用半导体硅片装置，其特征在于，所述传输轨道穿设通过所述导体线圈的内部。

3.如权利要求2所述的一种氢氟酸刻蚀太阳能电池用半导体硅片装置，其特征在于，所述导体线圈的内径为硅片宽度的1.5～2.0倍。

4.如权利要求3所述的一种氢氟酸刻蚀太阳能电池用半导体硅片装置，其特征在于，所述光源件设置在所述导体线圈的内腔。

5.如权利要求1所述的一种氢氟酸刻蚀太阳能电池用半导体硅片装置，其特征在于，所述导体线圈竖直设置在所述硅片的上方，多个所述导体线圈沿所述传输轨道的传输方向布置。

6.如权利要求5所述的一种氢氟酸刻蚀太阳能电池用半导体硅片装置，其特征在于，所述光源件设置在所述导体线圈的正上方或内腔或正下方。

7.如权利要求5所述的一种氢氟酸刻蚀太阳能电池用半导体硅片装置，其特征在于，两组相邻的所述导体线圈的轴线之间的距离与相邻硅片之间的分布间距相等。

8.如权利要求1所述的一种氢氟酸刻蚀太阳能电池用半导体硅片装置，其特征在于，所述导体线圈包括导线和耐腐蚀套，所述耐腐蚀套套设在所述导线的外表面。

9.如权利要求1所述的一种氢氟酸刻蚀太阳能电池用半导体硅片装置，其特征在于，所述电源件为高频交流电源件，所述电源件的频率大于等于40kHz。