[发明专利]半导体装置和制造该半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202211130243.8 | 申请日： | 2022-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN116133422A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 赵炳焄;康㓓婷 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;肖学蕊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 可以提供一种半导体装置，包括：衬底，其包括单元区域和外围电路区域；多个单元晶体管，其位于单元区域中；外围电路，其位于外围电路区域中；第一蚀刻停止膜，其覆盖多个单元晶体管；第二蚀刻停止膜，其覆盖外围电路并且限定穿过其中的底部插塞空间；电容器结构，其位于单元区域中并且包括多个下电极，多个下电极穿过第一蚀刻停止膜并且分别连接到单元晶体管；外围电路接触件，其位于外围电路区域中，外围电路接触件穿过第二蚀刻停止膜并且电连接到外围电路；以及绝缘衬垫，其位于第二蚀刻停止膜的限定底部插塞空间的侧壁部分上，绝缘衬垫围绕外围电路接触件的侧壁的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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