[发明专利]半导体装置和制造该半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底，其包括单元区域和外围电路区域，所述外围电路区域位于所述单元区域的至少一侧上；

多个单元晶体管，其位于所述单元区域中；

外围电路，其位于所述外围电路区域中；

第一蚀刻停止膜，其覆盖所述单元区域中的所述多个单元晶体管；

第二蚀刻停止膜，其覆盖所述外围电路区域中的所述外围电路，所述第二蚀刻停止膜限定穿过其中的底部插塞空间；

电容器结构，其位于所述单元区域中，所述电容器结构包括多个下电极，所述多个下电极穿过所述第一蚀刻停止膜并且分别连接到所述多个单元晶体管；

外围电路接触件，其位于所述外围电路区域中，所述外围电路接触件穿过所述第二蚀刻停止膜，并且电连接到所述外围电路；以及

绝缘衬垫，其位于所述第二蚀刻停止膜的限定所述底部插塞空间的侧壁部分上，所述绝缘衬垫围绕所述外围电路接触件的侧壁的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述外围电路接触件包括：

底部插塞，其位于所述底部插塞空间中，所述底部插塞在第一水平方向上具有第一宽度，所述第一水平方向与所述衬底的顶表面平行；以及

主接触部分，其在所述底部插塞上在竖直方向上延伸，所述主接触部分和所述底部插塞是一体的，所述主接触部分在所述第一水平方向上具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述绝缘衬垫围绕所述底部插塞的侧壁，并且

所述主接触部分的底表面的至少一部分位于所述第二蚀刻停止膜上。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述绝缘衬垫包括与所述第一蚀刻停止膜的材料相同的材料。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述绝缘衬垫包括相对于包括在所述第二蚀刻停止膜中的材料具有蚀刻选择性的材料。

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述绝缘衬垫包括硼氮化硅。

7.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述底部插塞具有在所述竖直方向上延伸的第一中心线，

所述主接触部分具有在所述竖直方向上延伸的第二中心线，并且

所述第二中心线在所述第一水平方向上与所述第一中心线分离。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，还包括：

接触焊盘，其电连接到所述外围电路并且用所述第二蚀刻停止膜覆盖，

其中，所述底部插塞的整个底表面位于所述接触焊盘上。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述多个单元晶体管中的每一个包括：

位线结构，其位于所述衬底上；

导电插塞，其位于所述位线结构的一侧处，所述导电插塞电连接到所述衬底；以及

着陆焊盘，其位于所述导电插塞上并且在所述竖直方向上延伸，所述着陆焊盘的顶表面的至少一部分用所述第一蚀刻停止膜覆盖，并且

所述多个下电极中的对应的一个位于所述着陆焊盘上。

10.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述绝缘衬垫在所述第一水平方向上的厚度为10埃至100埃。

11.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第一蚀刻停止膜在所述竖直方向上的第一高度为10埃至100埃，并且

所述底部插塞在所述竖直方向上的第二高度为50埃至500埃。