[发明专利]一种测试结构有效
| 申请号： | 202211081388.3 | 申请日： | 2022-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN115172336B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 黄彪子;目晶晶;田文星 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种测试结构，包括第N‑1金属层、第N金属层、第N+1金属层、第一焊盘至第四焊盘，两两金属层间设有电介质层，第N金属层包括多个平行间隔设置的第一金属线，第一焊盘和第二焊盘分别连接在第一金属线两端，第N‑1金属层和第N金属层通过金属通孔连接，第三焊盘连接第N‑1金属层，第四焊盘连接第N+1金属层，其中，N≥2，且为正整数；在第一焊盘和第二焊盘上施加电流以在第一金属线上进行EM测试；在第二焊盘和第四焊盘上施加电压，或者在所述第二焊盘和第三焊盘上施加电压以进行TDDB测试，使其既可以进行TDDB测试又可以进行EM测试，从而使得EM测试造成的TDDB效应得以考虑，进而能够全面的评估EM测试后电介质层的TDDB效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测试 结构 | ||
【主权项】：
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