[发明专利]射频阻抗匹配方法及系统、半导体工艺设备在审
| 申请号： | 202211073347.X | 申请日： | 2022-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN115376969A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 卫晶;邹丽影;陈星;韦刚;王威威;张晓博 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H03H7/38 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种射频阻抗匹配方法及系统、半导体工艺设备。该射频阻抗匹配方法用于通过射频电源及匹配器实现半导体工艺设备的工艺腔室起辉，其包括：获取工艺配方中的匹配参数及初始扫频参数；控制匹配器中电容器组件的参数为匹配参数；控制射频电源以初始扫频参数开始自动扫频，用于使射频电源的阻抗与匹配器及工艺腔室的阻抗相等，以使工艺腔室起辉。本申请实施例实现了射频电源能从最优初始扫频参数的调用以实现工艺腔室的快速起辉及匹配，从而不仅能大幅提高工艺腔室的起辉效率，而且还能避免起辉匹配失败的情况发生，进而确保起辉及匹配的可重复性和稳定性，以大幅提高工艺结果的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 阻抗匹配 方法 系统 半导体 工艺设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
