[发明专利]射频阻抗匹配方法及系统、半导体工艺设备

权利要求书

1.一种射频阻抗匹配方法，用于通过射频电源及匹配器实现半导体工艺设备的工艺腔室起辉，其特征在于，包括：

获取工艺配方中的匹配参数及初始扫频参数，所述初始扫频参数为射频电源开始自动扫频的起始频率；

控制匹配器中电容器组件的参数为所述匹配参数；

控制射频电源以所述初始扫频参数开始自动扫频，用于使所述射频电源的阻抗与所述匹配器及工艺腔室的阻抗相等，以使所述工艺腔室起辉。

2.如权利要求1所述的射频阻抗匹配方法，其特征在于，在所述获取工艺配方中的匹配参数及初始扫频参数之前，还包括：

在所述工艺配方查询所述匹配参数及所述初始扫频参数；

如果在所述工艺配方中查询到所述匹配参数及所述初始扫频参数，获取所述匹配参数及所述初始扫频参数。

3.如权利要求2所述的射频阻抗匹配方法，其特征在于，如果在所述工艺配方中未查询到所述匹配参数及所述初始扫频参数，则确定所述匹配参数及所述初始扫频参数。

4.如权利要求3所述的射频阻抗匹配方法，其特征在于，所述确定所述匹配参数，包括：

控制所述匹配器中电容器组件的参数为预设参数；

在所述射频电源为固定频率参数的情况下，控制所述匹配器根据匹配算法得到匹配时第一电容参数及第二电容参数；

将所述第一电容参数及所述第二电容参数记录为匹配参数，并且存入所述工艺配方中。

5.如权利要求4所述的射频阻抗匹配方法，其特征在于，所述确定所述初始扫频参数，包括：

控制所述射频电源为所述固定频率参数；

在所述匹配器为手动模式下，将所述匹配器中电容器组件的参数设置为所述第一电容参数及所述第二电容参数；

通过预设比例以步进方式所述第二电容参数使所述工艺腔室起辉，以得到第三电容参数；

将所述第一电容参数及所述第三电容参数记录为起辉参数，并且存入所述工艺配方中。

6.如权利要求5所述的射频阻抗匹配方法，其特征在于，根据所述匹配参数、所述固定频率参数及所述起辉参数确定所述初始扫频参数。

7.如权利要求6所述的射频阻抗匹配方法，其特征在于，确定所述初始扫频参数需要满足以下公式：

2πf₀*C2b＝2πf₁*C2a

f₁＝f₀*C2b/C2a

其中，f₀表征为所述固定频率参数，f₁表征为所述初始扫频参数，C2a表征为所述第二电容参数，所述C2b表征为第三电容参数。

8.如权利要求5至7的任一所述的射频阻抗匹配方法，其特征在于，所述固定频率参数为400KHz、2MHz、13.56MHz或40MHz。

9.一种射频阻抗匹配系统，其特征在于，包括：控制装置、匹配器及射频电源；

所述控制装置与所述匹配器及所述射频电源电连接，所述控制装置用于获取工艺配方中的匹配参数及初始扫频参数；以及控制所述匹配器中电容器组件的参数为所述匹配参数；以及控制所述射频电源以所述初始扫频参数开始自动扫频，使所述射频电源的阻抗与所述匹配器及工艺腔室的阻抗相等，以使所述工艺腔室起辉。

10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：工艺腔室及射频阻抗匹配系统，所述射频阻抗匹配系统用于执行如权利要求1至8的任一所述射频阻抗匹配方法。