[发明专利]太阳能电池本征层和掺杂层、制备方法、制备装置和太阳能电池在审
| 申请号： | 202211064762.9 | 申请日： | 2022-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN115312611A | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 董雪迪;林佳继;张武 | 申请（专利权）人： | 拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0328 | 分类号： | H01L31/0328;H01L31/0216;H01L31/0288;H01L31/0352;H01L31/0376;H01L31/072;H01L31/0747;H01L31/20;C23C16/24 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 214192 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种太阳能电池本征层和掺杂层、制备方法、制备装置和太阳能电池，所述制备方法包括：在硅片的两侧表面采用热丝化学气相沉积法制备本征层；在硅片一侧的本征层上采用热丝化学气相沉积法制备p型掺杂非晶硅层，在硅片另一侧的本征层上采用热丝化学气相沉积法制备n型掺杂非晶硅层。本发明采用热丝化学气相沉积法制备本征层和掺杂层，实现快速沉积制备，膜层质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 掺杂 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
