[发明专利]外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202211064714.X | 申请日： | 2022-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN115662876A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 邢琨;杨波;胡君玮;夏智虎 | 申请（专利权）人： | 珠海庞纳微半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 邱群 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市横琴新*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供外延结构及其制备方法。其中，外延结构的制备方法包括：提供衬底。形成位于衬底一侧的缓冲层。形成位于缓冲层背离衬底的一侧的外延层。本申请通过在制备缓冲层和/或外延层的过程中，掺入镁元素和/或锑元素，促进晶体横向生长，减少缓冲层和/或外延层的厚度，以亚微米厚度的外延层来实现满足器件要求的表面粗糙度和晶体质量，满足外延层厚度受限的特定器件结构需求，并有效提高制备效率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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