[发明专利]外延结构及其制备方法

权利要求书

1.一种外延结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供衬底；

形成位于所述衬底一侧的缓冲层；

形成位于所述缓冲层背离所述衬底的一侧的外延层；

其中，在形成所述缓冲层和/或所述外延层的过程中，加入含镁源与锑源中的至少一者。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述形成位于所述衬底一侧的缓冲层的步骤，包括：

形成位于所述衬底一侧的所述缓冲层；其中，在形成所述缓冲层的过程中，加入含所述镁源与所述锑源中的至少一者；

对所述缓冲层进行高温退火处理。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述缓冲层包括相连的多个第一核岛；对所述多个第一核岛进行高温退火处理，所述多个第一核岛的部分相互合并转变为间隔排布的多个第二核岛，且所述第一核岛的高度小于所述第二核岛的高度；其中，所述第一核岛的高度h1、所述第二核岛的高度h2满足以下条件：15nm≤h1≤35nm、50nm≤h2≤250nm。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述形成位于所述缓冲层背离所述衬底的一侧的外延层的步骤，包括：

外延形成位于所述缓冲层背离所述衬底一侧的多个第三核岛；

对所述多个第三核岛进行外延，以得到所述外延层，在形成所述外延层的过程中，加入含所述镁源与所述锑源中的至少一者。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述对所述多个第三核岛进行外延的步骤，包括：

对所述多个第三核岛进行外延，所述多个第三核岛相互合并；在所述多个第三核岛相互合并的过程中，加入含所述镁源与所述锑源中的至少一者；

对合并后的所述多个第三核岛进行外延，以得到所述外延层。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在横向生长形成所述外延层的过程中，V族源和Ⅲ族源的摩尔流量比满足以下条件：500≤V/III≤1000，反应腔压力满足以下条件：50torr≤P≤100torr。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成所述缓冲层和/或所述外延层的过程中，所述镁源包括但不限于双环戊二烯基镁、双甲基环苯二烯基镁，所述锑源包括但不限于三乙基锑、三-二乙基氨锑。

8.一种外延结构，其特征在于，所述外延结构包括衬底、以及依次层叠设置于所述衬底一侧的缓冲层与外延层，所述缓冲层和/或所述外延层具有镁元素、锑元素中的至少一者。

9.如权利要求8所述的外延结构，其特征在于，所述外延层背离所述衬底一侧的表面粗糙度的均方根RMS满足以下条件：0.2nm≤RMS≤5nm。

10.如权利要求8所述的外延结构，其特征在于，所述外延结构满足如下情况的至少一种：

在所述外延结构中，所述外延结构具有六方晶系，XRD沿六方晶系(0002)面衍射角的摇摆曲线半高宽不大于200弧秒；

在所述外延结构中，所述外延结构具有六方晶系，XRD沿六方晶系(10-12)面的衍射角的摇摆曲线半高宽不大于400弧秒。