[发明专利]一种快闪存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202211049785.2 | 申请日： | 2022-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115360196A | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 汤志林;付永琴;王卉;曹子贵 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11548;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 张亚静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种快闪存储器及其制备方法，包括：衬底，所述衬底内具有若干沿第一方向延伸且沿第二方向分布的浅沟槽隔离结构；掺杂区，位于每个所述浅沟槽隔离结构两侧的所述衬底内，所述掺杂区的导电类型与所述衬底的导电类型相同，且所述掺杂区的离子浓度大于所述衬底的离子浓度；若干栅极结构，沿所述第二方向延伸并沿所述第一方向分布在所述衬底上。利用所述掺杂区在所述衬底内形成一个较大的势垒，阻挡所述浅沟槽隔离结构边缘缺口处寄生MOS管引起的漏电流进入所述衬底内，进而避免漏电流引起的快闪存储器编程串扰及失效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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