[发明专利]一种氮化镓基发光二极管的制作方法在审
| 申请号： | 202211046949.6 | 申请日： | 2022-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115332406A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 徐平;许亚兵;张小球 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/10;H01L33/24;H01L33/32 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 张勇;周晓艳 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种氮化镓基发光二极管的制作方法，包括步骤：在蓝宝石图形化衬底行依次生长次生长GaN缓冲层、U‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱发光层，并在量子阱发光层形成V‑pits；在V‑pits上方填充高电阻和高势磊的AlN/GaN超晶格层，以形成载流子阻挡层；采用三维生长和二维生长相结合的方法生长P型GaN层，以在V‑pits上方形成空心V型锥结构。本发明能够有效解决V‑pits内缺陷形成非辐射复合中心的问题，并提高LED芯片的发光效率及发光强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
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