[发明专利]一种半导体结构的制备方法在审
| 申请号： | 202211043325.9 | 申请日： | 2022-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN115332154A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 舒宇飞;熊凌昊;张磊;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 郑星 |
| 地址： | 201314*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底内具有若干浅沟槽隔离结构，且所述衬底上具有依次覆盖所述衬底及所述浅沟槽隔离结构的第一阻挡氧化层、抗反射层和光刻胶层；采用各向异性刻蚀工艺除去所述光刻胶层、所述抗反射层及部分厚度的所述第一阻挡氧化层，剩余的所述第一阻挡氧化层构成第二阻挡氧化层，所述第二阻挡氧化层的厚度小于所述第一阻挡氧化层厚度的一半；采用各向同性刻蚀工艺除去所述第二阻挡氧化层；在所述衬底上形成存储栅结构。通过各向异性刻蚀工艺除去第一阻挡氧化层的大部分厚度，缩短所述各向同性刻蚀工艺的工艺时间，进而减小浅沟槽隔离结构中侧墙缺口的大小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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