[发明专利]一种闪存器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202211042220.1 | 申请日： | 2022-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN115394859A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 谈嘉慧;钱俊 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L27/11521;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201314*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种闪存器件及其制备方法，包括：衬底，所述衬底内具有沟槽；介质层，所述介质层覆盖所述沟槽的内壁；浮栅层，位于所述介质层上，充满所述沟槽并向上延伸至高于所述衬底的顶面；栅极介质层，覆盖所述浮栅层的顶面及所述浮栅层高于所述衬底的侧壁；控制栅层，覆盖所述浮栅层顶面的所述栅极介质层。本发明中的所述浮栅层与所述介质层之间具有垂直耦合的部分，以减小所述浮栅层水平方向上的面积，进而减小所述闪存器件的面积；同时，可以通过改变所述沟槽深度的方式增加所述浮栅层与所述介质层之间垂直耦合的面积，进而增加所述闪存器件的写入速度，提高所述闪存器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211042220.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
