[发明专利]Split Gate MOSFET器件及制备方法在审
| 申请号： | 202211003755.8 | 申请日： | 2022-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN115394854A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 袁力鹏;苏毅;常虹;完颜文娟;唐呈前 | 申请（专利权）人： | 华羿微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 黄小雪 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未央区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了Split Gate MOSFET器件及制备方法，涉及半导体功率器件技术领域。包括：第一导电外延层内设置第一沟槽和第二沟槽；所述第一沟槽从外至内包括第一栅氧化层和第一多晶硅层；所述第二沟槽从下至上被第二栅氧化层分为上部分和下部分，所述下部分从外至内包括第一栅氧化层和第一多晶硅层，所述上部分从外至内包括第二多晶硅层，第二栅氧化层和隔离氧化层；所述第一导电外延层上依次设置第二栅氧化层、氮氧化硅层、隔离氧化层和金属层；所述第二沟槽上、所述第一沟槽和所述第二沟槽之间、所述第二沟槽远离所述第一沟槽的一侧设置接触孔。 | ||
| 搜索关键词： | split gate mosfet 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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