[发明专利]一种环状聚乙二醇修饰的二维超晶格薄膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202210955784.8 | 申请日： | 2022-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN115233310A | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 杜艳秋;李海东;姜旸;李义;陈洪旭;沈俊豪;汪子怡 | 申请（专利权）人： | 嘉兴学院 |
| 主分类号： | C30B29/64 | 分类号： | C30B29/64;C30B29/68;C30B29/02;B22F1/054;B22F1/102;C30B7/00;C30B29/18;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 杨倩 |
| 地址： | 314001 浙江省嘉兴市经济开*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种环状聚乙二醇修饰的二维超晶格薄膜及其制备方法和应用，该二维超晶格薄膜是由一系列形貌统一的环状聚乙二醇修饰的纳米粒子经组装有序排列而成的单层结构，且所述纳米粒子呈现高度有度的六角堆积周期性排列。其制备方法为：以纳米颗粒为基本构筑单元，通过表面配体修饰后在溶液中自组装形成结构稳定的二维超晶格薄膜，所述表面配体为双巯基修饰的聚乙二醇。本发明通过环状聚乙二醇分子刷对纳米粒子进行修饰，使相邻纳米粒子表面的环状聚合物刷相互渗透，形成类似“分子结扣”方式的物理缠结，从而显著提高二维超晶格薄膜的结构稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 环状 聚乙二醇 修饰 二维 晶格 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于嘉兴学院，未经嘉兴学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210955784.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种透镜驱动装置、摄像装置及移动终端
- 下一篇：一种自动去筋膜机、系统及方法
- 同类专利
- 一种二维材料少层的制作设备及方法-202210945185.8
- 卿晓梅;翟志淳;镇思琦 - 南通理工学院
- 2022-08-08 - 2023-09-26 - C30B29/64
- 本发明涉及纳米片制作技术领域，公开了一种二维材料少层的制作设备，包括加热装置，加热装置上方设有与之配合的容器，所述容器的底部设有基底架，容器的上方设有沿壁注入槽，所述基底架的两侧分布有设置于容器侧壁的出液口，容器的上方设有注入口。本发明适用于一种二维材料少层的制作设备及方法，本发明通过分层注入不同张力的液体，利用液体的张力差异使纳米材料有机溶液在张力较大的液面自然堆砌为少层结构，并通过双面基底设计来实现对少层纳米片的转移和应变控制，既克服了对机械剥离对材料结构的损坏，又实现高效的制备，降低了制作成本，避免了环境污染。
- 一种薄片晶体流转装置-202321318055.8
- 郑文瑞;谢祖泽;李雄;黎书壮;陈伟;陈秋华;王昌运 - 福建福晶科技股份有限公司
- 2023-05-29 - 2023-09-26 - C30B29/64
- 本实用新型公开了一种薄片晶体流转装置，它涉及晶体流转领域。它包括旋主体件、支撑柱、滑杆柱、螺丝和底座。所述的主体件顶部设有三个圆形通孔，底部设有凹槽，侧面设有螺纹孔。所述的底座呈圆盘状，并设有三个螺纹孔。所述的滑杆柱底部设有螺纹，并旋入底座两侧的螺纹孔中。所述的支撑柱底部设有螺纹孔，并旋入底座中心的螺纹孔中。所述的螺丝旋入主体件侧面的螺纹孔中，并顶住支撑柱。本实用新型结构简单，操作简易，实现薄片晶体避开通光面，以棱边接触方式放置，安全流转。
- 一种大面积二维单晶及制备方法-202210813798.6
- 冯丽萍;刘鹏飞;钟诗宸;叶元茗;王萌婷 - 西北工业大学
- 2022-07-11 - 2023-08-25 - C30B29/64
- 本发明涉及一种大面积二维单晶及制备方法，包括使用Bi
- 一种二维单晶四氧化三铁纳米材料及制备方法-202110109805.X
- 代宇宁;陈珂 - 河南大学
- 2021-01-27 - 2023-08-22 - C30B29/64
- 本发明提供了一种二维单晶四氧化三铁纳米材料及制备方法，步骤如下：（1）将生长衬底水平放置于高温管式炉中，将铁源与分子筛混合放置于生长衬底下方；（2）在一定压力和载气条件下，将管式炉升温并维持一定温度，然后通入氧气并保持一定时间，使挥发至衬底表面的铁源与氧源反应生长得到二维单晶四氧化三铁纳米片。本发明制备方法简单、耗时短、可批量化、厚度尺寸均匀可控制备等优点。通过光学显微镜、拉曼光谱表征、扫描电子显微镜以及原子力显微镜等数据确定样品是高质量的二维四氧化三铁纳米片。
- 一种调控铁电畴尺寸的氮化物铁电半导体的制备方法-202310781440.4
- 王新强;叶昊天;王平;王睿;王涛;王锦林;盛博文;刘放 - 北京大学
- 2023-06-29 - 2023-08-22 - C30B29/64
- 本发明公开了一种调控铁电畴尺寸的氮化物铁电半导体的制备方法。本发明利用氮化物铁电半导体在二维晶体与衬底上生长时成核密度的差异，通过在氮化物铁电半导体与衬底之间插入多层图形化的二维晶体复合结构，实现铁电畴尺寸可调制的高效氮化物铁电半导体，并避免了失效层的形成；同时利用二维晶体的层间范德瓦尔斯力作用结合力弱的特点，有效释放单个铁电畴中的应力，同时释放铁电畴与衬底之间异质界面的强耦合作用，进一步提升铁电性的稳定性和可靠性；更进一步，采用本发明的方法外延生长的氮化物铁电半导体，能够用于制备高性能电子器件、铁电存储器、光电器件、声学器件和非线性光子器件等。
- 一种板状超粗单晶碳化钨及其制备方法-202211601229.1
- 孙丰龙;苗超;赵中伟 - 中南大学
- 2022-12-13 - 2023-04-11 - C30B29/64
- 本发明提供了一种板状超粗单晶碳化钨及其制备方法，该制备方法包括步骤：将碳化钨、熔剂金属、石墨和诱导剂混合，加热至熔化后保温进行反应，反应完成后，冷却至室温，分离，得到板状超粗单晶碳化钨；其中，所述熔剂金属为金属铁或钴；所述诱导剂为金属钇、钛和钒的混合物；该方法原料来源容易，合成方法简单，成本低廉，且得到的碳化钨单晶发育完整，可用于地矿类行业的硬质合金。
- 一种环状聚乙二醇修饰的二维超晶格薄膜及其制备方法和应用-202210955784.8
- 杜艳秋;李海东;姜旸;李义;陈洪旭;沈俊豪;汪子怡 - 嘉兴学院
- 2022-08-10 - 2022-10-25 - C30B29/64
- 本发明公开了一种环状聚乙二醇修饰的二维超晶格薄膜及其制备方法和应用，该二维超晶格薄膜是由一系列形貌统一的环状聚乙二醇修饰的纳米粒子经组装有序排列而成的单层结构，且所述纳米粒子呈现高度有度的六角堆积周期性排列。其制备方法为：以纳米颗粒为基本构筑单元，通过表面配体修饰后在溶液中自组装形成结构稳定的二维超晶格薄膜，所述表面配体为双巯基修饰的聚乙二醇。本发明通过环状聚乙二醇分子刷对纳米粒子进行修饰，使相邻纳米粒子表面的环状聚合物刷相互渗透，形成类似“分子结扣”方式的物理缠结，从而显著提高二维超晶格薄膜的结构稳定性。
- 一种调控腔体压强制备高质量单晶畴二维材料的方法-202111288448.4
- 孙丽;王鹏;张雪;国星;于法鹏;李妍璐;赵显 - 山东大学
- 2021-11-02 - 2022-08-30 - C30B29/64
- 本发明属于二维材料的制备技术领域，具体涉及一种调控腔体压强制备高质量单晶畴二维材料的方法，包括：将衬底置于反应炉腔内进行真空清洗；然后，通入载流气体，调节炉腔压强为低压，升温至前驱体分解温度；接着，通入反应气体，保持腔体压强为低压，进行二维材料的形核与初步横向生长；之后，将腔体压强调高至常压进行快速生长，再将腔体压强调低，稳定生长；最后，在载流气体氛围下降温，得到具有规则形貌的大尺寸单晶畴二维材料。通过在生长阶段调节腔体压强，改善CVD系统中的组分运输，加强物质间的相互作用，进而获得高质量、大尺寸单晶畴二维材料。
- 一种常压下制备二维TMDC原子晶体材料的装置及方法-201710514753.8
- 李春;何天应;兰长勇 - 电子科技大学
- 2017-06-29 - 2022-03-08 - C30B29/64
- 本发明公开了一种常压下制备二维TMDC原子晶体材料的装置及方法，该装置包括：具有内嵌式双管结构的高温管式炉，高温管式炉上设有主输运管和次输运管，次输运管内嵌于主输运管内；主输运管内设有载物舟一，次输运管内设有载物舟二；次输运管出口处设有支撑架，支撑架上放有衬底；高温管式炉外壁上设有用于加热载物舟一内物质的加热器一和用于加热载物舟二内物质的加热器二；高温管式炉出口处设有废气处理装置。利用该装置可制备非连续TMDC单晶片或单层、多层连续TMDC薄膜，且重复性好，节省源材料。
- 一种基于水膜制备大面积单层胶体晶体的方法-202011325668.5
- 陆雯熙;杨云秋;张伟 - 中国矿业大学
- 2020-11-24 - 2021-09-07 - C30B29/64
- 本发明属于胶体科学领域，具体为利用水膜动力颗粒自组装方法。本发明通过控制液滴在基片表面的位置、形状以及基片形状，水膜促进颗粒自组装，达到快速制备大面积单层二氧化硅胶体；若样品中出现多层区域，再通过其他层基片与多层区域贴合，使原本难以使用的多层区域的上层颗粒脱离原本的基片并粘附到其他基片上完成自组装。本发明优势在于：相比于传统方法制备时间更短，并且可以利用传统制备方法无法使用的多层区域，节约研究材料。
- 一种超薄单晶Zn
- 郭耸;陈学兵;张琳;陈苗苗;翁哲帆 - 南京理工大学
- 2019-05-31 - 2021-09-03 - C30B29/64
- 本发明公开了一种超薄单晶Zn
- 一种基于LB膜法的胶体晶体制备方法-202010292130.2
- 牛刚;武和平;任巍;姜陆月 - 西安交通大学
- 2020-04-14 - 2021-07-13 - C30B29/64
- 本发明公开了一种基于LB膜法的胶体晶体制备方法，包括：将胶体颗粒分散于水和有机溶剂的混合系统中；借助于斜坡式引导片将胶体颗粒分散在LB设备的液面上；通过滑杖压缩以及表面膜压的设置控制胶体颗粒在水面上的密度以及自组装；最后通过选用恰当的拉膜速度、滑杖速度以及表面膜压实现胶体颗粒阵列转移到衬底上。本发明的方法通过控制相关的制备参数实现制备胶体晶体的可控性、重复性与高质量，可以使得转移到衬底上的胶体晶体大范围内排列均匀、致密。
- 一种二维晶体的生长方法-202010320284.8
- 邓贞宙;周凯 - 南昌大学
- 2020-04-22 - 2020-08-11 - C30B29/64
- 本发明涉及晶体制备技术领域，特别是涉及一种二维晶体的生长方法。该种方法包括制膜、通气氛和扩面等步骤，在制膜的过程中需要在原溶剂中添加表面活性物质以减小溶剂的表面张力，而在通气氛过程中则需要充入气态的与原溶剂不相容的溶剂以使得晶体更容易析出。这种二维晶体的生长方法，不需要放置在器皿中进行培养，所以减少了与器皿中的其他物质接触的机会，生成的晶体杂质少，纯度高，同时因为生长晶体的工具可以任意改变大小，从而可生长出面积可控的二维晶体。
- 一种四方相和/或六方相一硒化钴二维材料及其制备和应用-201910196239.3
- 段曦东;段镶锋;马惠芳;万众 - 湖南大学
- 2019-03-15 - 2020-07-24 - C30B29/64
- 本发明属于纳米材料制备领域，具体公开了一种四方相和/或六方相的一硒化钴二维材料的制备方法，将氯化钴、Se粉加热挥发，随后在含氢载气、540‑630℃的沉积温度下反应，在基底表面生长得到四方相和/或六方相的CoSe二维材料；所述的含氢载气为保护气和H
- 用于电子装置的使用交叉共轭供体的窄带隙共轭聚合物-201780065658.2
- 杰森·D·阿祖莱;本杰明·张;刘毅;亚历山大·E·伦敦 - 杰森·D·阿祖莱;本杰明·张;刘毅;亚历山大·E·伦敦
- 2017-08-23 - 2019-09-06 - C30B29/64
- 本发明提供新的聚合物化合物和制备包含环外交叉共轭供体或取代基的模块化窄带隙共轭化合物和聚合物的方法，以及这种聚合物的新的单体组分和所得产品，所述产品包括具有新功能的材料和有用的电子装置。
- 一种空间限制的二维杂化钙钛矿晶体生长方法-201811266456.7
- 王迪;张海欣;栢宇;张明静;吴国政;薛豪 - 天津理工大学
- 2018-10-29 - 2019-02-19 - C30B29/64
- 本发明为一种空间限制的二维杂化钙钛矿晶体生长方法。该方法使用上下两片衬底组成晶体生长区域并在其中灌充晶体生长溶液，利用该局域的生长溶液限制钙钛矿晶体在二维平面内生长，抑制其垂直面外的生长，从而在衬底表面获得大尺寸、高质量二维杂化钙钛矿晶体的方法。另一方面，晶体生长溶液中添加油酸或是类油酸类表面修饰剂，表面修饰剂吸附晶体表面进一步限制其二维平面外的生长。该方法能够克服传统溶液法生长二维杂化钙钛矿晶体尺寸较小，气相沉积法生长二维杂化钙钛矿晶体工艺流程繁琐、设备昂贵等诸多缺点。
- 一种大面积二维BiOI单晶的制备方法-201810770731.2
- 冯丽萍;曾为;黄益城;刘正堂 - 西北工业大学
- 2018-07-13 - 2018-12-18 - C30B29/64
- 本发明涉及一种大面积二维BiOI单晶的制备方法，使用BiI3粉末和氧气作为制备BiOI单晶的反应前驱体；使用氟金云母片作为衬底，在解理云母后堆叠按压构造微小反应空间；采用石英管式炉优化升温程序制备出边长达到100μm以上的正方形BiOI单晶,厚度可以达到单层级别。本发明制备的二维BiOI单晶符合化学计量比，晶体缺陷少。由二维BiOI单晶制备的254nm深紫外光探测器，其暗态电流少于10‑12A，开关电流Ion/Ioff比达到100以上，光响应度Rph达到30mA/W，外量子效率EQE接近14.7％，探测度可达2.4×109Jones。
- 基于混合组装方式制备有序排列的二维胶体晶体膜的方法-201810453678.3
- 张雪花;虞亮;张伟;胡芳仁 - 南京邮电大学
- 2018-05-11 - 2018-10-12 - C30B29/64
- 本发明公开了一种基于混合组装方式制备有序排列的二维胶体晶体膜的方法，先通过旋涂方法在基片上初步制备得到二维聚苯乙烯胶体晶体膜，进一步使用提拉机将初步获得的二维胶体晶体膜通过空气‑液面自组装的方式进行二次自组装，经过后续处理，在基片上得到大面积有序排列的二维聚苯乙烯胶体晶体膜。本发明有效改善了旋涂过程中出现的缝隙过大和过多的问题，本发明过程简单，低成本，易获得大面积有序的二维胶体晶体膜。
- 一种二维Al-O-Cu-Fe单晶层片状材料的制备工艺-201610018544.X
- 何战兵;王磊磊 - 北京科技大学
- 2016-01-12 - 2018-08-03 - C30B29/64
- 本发明公开一种Al‑O‑Cu‑Fe单晶层片状材料的制备工艺，属于二维层片状及催化材料制备领域。制备过程为：按合金原子配比AlxCuyFez进行合金配料，其中x+y+z=100，60≤x≤70，13≤y≤30，10≤z≤17；通过真空快淬甩带法制备出Al‑Cu‑Fe合金条带；采用NaOH室温化学脱合金化的方法，制备出二维层片状Al‑O‑Cu‑Fe单晶材料。每个片层厚度为30‑50 nm，单晶片直径在2‑6μm之间。片层之间相互交叉形成孔隙，孔径大小在1‑10μm，组成一种多孔结构。本发明制备过程简单，成本低廉，生成的二维层片状结构的材料产量高，为工业化可控制备Al‑O‑Cu‑Fe二维单晶层状催化材料提供了解决方案。
- 一种二维原子层厚度ZnO单晶纳米片及其制备方法-201510024107.4
- 孟祥敏;王磊;黄兴;夏静;黄奔;朱丹丹 - 中国科学院理化技术研究所
- 2015-01-16 - 2018-06-19 - C30B29/64
- 本发明公开一种二维原子层厚度ZnO单晶纳米片，所述原子层厚度的ZnO纳米片是采用热蒸发法制备获得，相比于其它的ZnO纳米片，本发明的二维原子层厚度ZnO单晶纳米片厚度更薄、结晶性更好，更便于剥离使用。本发明还公开了二维原子层厚度ZnO单晶纳米片的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将锌粉、衬底放入管式炉中；(2)打开机械泵，对管式炉抽真空，充入压缩空气；(3)设定升温程序，反应后自然降温；(4)取出样品，衬底上生长了原子层厚度的ZnO纳米片。该方法制备步骤简单、耗时少、重复性高。 1
- 一种大面积无缺陷二维胶体单晶、其制备方法及其转移方法-201310740566.3
- 邱东;孟晓辉 - 中国科学院化学研究所
- 2013-12-27 - 2017-12-26 - C30B29/64
- 本专利涉及一种大面积无缺陷二维胶体单晶的制备及其无扰转移方法。该二维胶体单晶系胶体粒子在水/气界面自组装形成，具有优异的可转移性；其尺寸可达数平方厘米且无任何缺陷。本发明还提供此种二维胶体单晶的一种改进的无扰转移方法，通过该转移方法，可以在不对胶体单晶产生明显扰动的情况下实现向不同基底表面的转移。本发明的二维胶体单晶制备方法简单高效，转移方法对基底表面的亲疏水性和曲率没有选择性，应用前景广泛。
- 一种锡烯材料及其制备方法-201710176400.1
- 刘乐光 - 厦门圣之岛金属科技有限公司
- 2017-03-23 - 2017-07-28 - C30B29/64
- 本发明提供一种锡烯材料及其制备方法，方法包括1）在真空环境下，将适量锡蒸发沉积到过渡金属基底上；2）对整个样品进行退火处理，以使覆盖在基底表面的锡发生相互作用，形成六角蜂窝状分布的二维有序的周期性结构。本发明的制备方法能够生长出一种新型的二维原子晶体材料，这种新材料表现为二维有序、锡原子成六角蜂窝状排布的二维周期性结构。这种锡烯二维晶体材料不同于石墨烯，比石墨烯具有更强的自旋轨道耦合，为研究二维体系中新的量子现象和电子行为提供了全新的平台，所以这种新型二维原子晶体材料也可应用于自旋电子学及器件研究。
- 二维纳米薄膜制备装置及方法-201510696896.6
- 张凯;俞强 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 2015-10-23 - 2017-05-03 - C30B29/64
- 本发明公开了一种二维纳米薄膜制备装置，包括衬底储存室，沉积室，取样室，以及样品传送室，所述样品传送室包括样品运送装置，至少用以在样品传送室和能够与所述样品传送室真空级联的衬底储存室、沉积室或取样室之间传送所述衬底和/或样品。进一步还可包括镀膜室等，并且所述镀膜室亦能够与所述样品传送室真空级联。本发明还公开了一种二维纳米薄膜制备方法。藉由本发明的装置及方法可实现二维纳米薄膜材料在硅或其它硬质半导体、介质材料衬底上的大面积直接生长，并能与基于硅工艺的半导体技术加工流水线相匹配，方便后续器件加工与应用，特别是还具有低能耗、可连续自动化作业的优点，工艺可控性、稳定性和重复性高，产品质量稳定优良。
- 一种新型氟代氯氧化铋的制备方法-201410333684.7
- 黄宝铨;周为明;钱庆荣;柯梅珍;陈庆华;肖荔人;刘欣萍;许兢;薛珲;罗永晋 - 福建师范大学
- 2014-07-15 - 2017-01-18 - C30B29/64
- 本发明公开提供一种新型氟代氯氧化铋的制备方法。将含氟氯铋盐溶液与氢氧化钠溶液同时加入到浓盐酸和表面活性剂反应体系中，当加入反应体系中的含氟氯铋盐溶液加入完毕后，迅速加入氢氧化钠溶液使所述反应体系的溶液的pH 值为10，静置分层后除去上清液，将所得固体经去离子水洗涤后得到氟代氯氧化铋薄片晶体。本发明中的氟代氯氧化铋薄片晶体不仅具有有序排列的规则形状的正方形和正八边形，有效提高其遮盖力、光亮度等效果，具有良好的化学稳定性以及优良的耐候性、耐温性，根据不同的需求可控制氟取代比例。所述的氟代氯氧化铋薄片晶体造价便宜、珠光性能好，制备方法操作简便。
- 一种新型碳二维平面晶体及其制备方法-201610292362.1
- 杜奇石;黄慨;黎演明;唐培朵;黄华林;龙思宇;黄日波 - 广西科学院
- 2016-05-05 - 2016-09-28 - C30B29/64
- 本发明公开一种新型碳二维平面晶体及其制备方法，该晶体由sp2态碳原子的平面四元环和平面六元环组成，六元环的不相邻的三条边分别与一个四元环共享，其余三条边为单独占有；四元环的一组对边分别与一个六元环共享，另外的一组对边为单独占有。晶体的平面结构中，组成该晶体的碳的成键原子轨道是略微变形的sp2杂化轨道，形成平面共轭大π键结构；每个碳原子通过sp2杂化轨道的3个σ‑键与3个碳原子成键，平面边沿的碳原子的2个σ‑键与2个碳原子相联，指向平面外的一个σ‑键与氢原子或其它单键的原子或原子团连接。该晶体有望在半导体、电子器件、生命科学和医药材料等诸多领域有潜在的应用价值，预计可以带来很高的社会效益和经济效益。
- 二维纳米薄膜制备装置-201520826899.2
- 张凯;俞强 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 2015-10-23 - 2016-04-27 - C30B29/64
- 本实用新型公开了一种二维纳米薄膜制备装置，包括：用于存储衬底的衬底储存室；用以提供适于在所述衬底上生长二维纳米薄膜而形成样品的环境的沉积室；用以收集所述样品的取样室；以及，样品传送室，包括用以在衬底储存室、沉积室和取样室之间传送所述衬底和/或样品的样品运送装置；其中，所述样品传送室至少能够与所述衬底储存室、沉积室、取样室中的任一者真空级联。藉由本实用新型的装置可实现二维纳米薄膜材料在硅或其它硬质半导体、介质材料衬底上的大面积直接生长，并能与基于硅工艺的半导体技术加工流水线相匹配，方便后续器件加工与应用，特别是还具有低能耗、可连续自动化作业的优点，工艺可控性、稳定性和重复性高，产品质量稳定优良。
- 半导体材料片材、用于形成它的系统和方法-201380063449.6
- S·比斯瓦斯;D·L·布兰丁;G·B·库克;P·马宗达;K·K·索尼;B·苏曼 - 康宁股份有限公司
- 2013-10-03 - 2015-12-02 - C30B29/64
- 使用一系统形成半导体材料片材的方法。所述系统包括沿着第一轴线延伸且能绕着第一轴线旋转的第一凸面元件，以及与第一凸面元件隔开的沿着第二轴线延伸且能绕着第二轴线旋转的第二凸面元件。第一和第二凸面元件限定了在它们之间的辊隙。所述方法包括在第一和第二凸面元件中的至少一个的外部表面上施加半导体材料熔体以在第一和第二凸面元件中的至少一个的外部表面上形成沉淀物。所述方法还包括以相互相对的方向旋转第一和第二凸面元件以允许沉淀物穿过辊隙,由此形成半导体材料片材。
- 一种制备BaCuSi4O10二维晶体的方法-201510515229.3
- 郭强兵;刘小峰;邱建荣 - 浙江大学
- 2015-08-20 - 2015-11-25 - C30B29/64
- 本发明公开了一种制备BaCuSi4O10二维晶体的方法。本发明使用酸溶液剥离BaCuSi4O10三维晶体，制备得到BaCuSi4O10二维晶体；具体是将BaCuSi4O10晶体加入酸溶液中，水浴中超声处理，然后静置；取上层清液，进行离心处理，再用去离子水清洗，得到二维层状BaCuSi4O10晶体。本发明的制备方法具有简单、高效、成本低、利于大规模制备的优点。
- 双曲面弯晶、组合式双曲面弯晶及单波长色散 X 射线荧光光谱仪-201410528186.8
- 滕云;李伯伦;施小灵 - 北京安科慧生科技有限公司
- 2014-10-09 - 2015-01-07 - C30B29/64
- 本发明公开了一种双曲面弯晶、组合式双曲面弯晶及单波长色散X射线荧光光谱仪，所述的双曲面弯晶包括在一个平面(X-Y平面)内有罗兰圆半径为R的曲率，在另一个平面(Y-Z平面)内有半径为r的曲率的凹面，在X-Y平面内的曲线是罗兰圆，在Y-Z平面内的曲线是：以光源点和聚焦点连线为轴，以晶体中心到光源点和聚焦点连线的垂线为半径r的旋转曲面。X光光管的光斑直径为150μm经全聚焦双曲面弯曲晶体衍射出来的相同波长的X光都聚焦成一个小于350μm的点，所以所述双曲面弯晶有高集光效率，大大提高了微量元素的检出限。
- 活性炭纤维表面的一维NiCo2S4晶体阵列及其制备方法-201410313855.X
- 金达莱;汪丽娜;王龙成;王耐艳 - 浙江理工大学
- 2014-07-03 - 2014-10-08 - C30B29/64
- 本发明公开了一种活性炭纤维表面的一维NiCo2S4晶体阵列及其制备方法。将可溶性镍盐和可溶性钴盐溶于水中，镍与钴的离子摩尔数比为1:2；加入摩尔数等于镍与钴的离子摩尔总数一半的乙二胺四乙酸，和摩尔数为镍与钴的离子摩尔总数5~10倍的硫脲；将活性炭纤维浸没于该溶液浸泡；继而在150~260℃温度范围内水热处理；将水热处理后的活性炭纤维清洗、干燥，获得生长于活性炭纤维表面的一维NiCo2S4晶体阵列。本发明得到的活性炭纤维表面的一维NiCo2S4晶体阵列，具有定向生长结构，可以提高活性炭纤维比表面积，且有利于电子传输，是理想的催化剂材料和电极材料。
- 专利分类
