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[发明专利]基于非溶剂体系去除石墨烯表面PMMA层的方法-CN202211377134.6有效
发明人：于法鹏;国星;张雪;王鹏;孙丽;李妍璐;赵显 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明公开了基于非溶剂体系去除石墨烯表面PMMA层的方法，属于石墨烯转移技术领域，包括：将PMMA/石墨烯/无机非金属衬底置于含有非无机盐类固态干燥剂的封闭体系内静置；将干燥后的PMMA/石墨烯/无机非金属衬底置于带有吸水剂的乙醇钠‑乙醇溶液静置；将PMMA/石墨烯/无机非金属衬底从溶液中取出并夹持，置于无水乙醇中超声清洗后吹干，即得负载于无机非金属衬底上的石墨烯薄膜获得负载于无机非金属衬底之上的石墨烯薄膜。该方法不引入PMMA的良溶剂或可溶溶剂，能够实现石墨烯转移后PMMA层的有效清除。
基于溶剂体系去除石墨表面 pmma 方法

[发明专利]一种简易高效去除石墨烯表面PMMA的方法-CN202211323942.4有效
发明人：于法鹏;国星;张雪;王鹏;孙丽;李妍璐;赵显 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C01B32/196 文献下载
摘要：本发明公开了一种简易高效去除石墨烯表面PMMA的方法，属于石墨烯转移技术领域，包括：将PMMA/石墨烯薄膜转移至Si/SiO2衬底；将Si/SiO2衬底放置并夹紧于加装了振动组件的振动金属梁上，将振动金属梁垂直插入溶胀液内，磁力搅拌一定时间后提出；将振动金属梁垂直插入浸泡液内，开启振动组件，持续一定时间后提出，关闭振动组件；对负载PMMA/石墨烯薄膜的Si/SiO2衬底进行冲洗，随后对负载石墨烯薄膜的Si/SiO2衬底进行冲洗，吹干，获得已去除PMMA的负载石墨烯薄膜的Si/SiO2衬底。该方法操作简单，可高效、快速去除石墨烯表面的PMMA。
一种简易高效去除石墨表面 pmma 方法

[发明专利]一种稀土磷酸盐晶体压电切型及其在高温传感领域中的应用-CN202210535488.2有效
发明人：于法鹏;武广达;樊梦迪;刘学良;李妍璐;程秀凤;赵显 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C01B25/45 文献下载
摘要：本发明涉及一种稀土磷酸盐晶体的压电切型及其在高温传感领域中的应用，所述稀土磷酸盐晶体的压电切型兼具高压电活性和低串扰响应特征，同时具有良好的温度稳定性，有利于提高压电传感器件的灵敏度。本发明的压电加速度传感器在25‑650℃温度范围内实现了较为稳定的信号输出，在压电传感技术领域具有明朗的应用前景。本发明所提出的具有最优切变振动模态晶体切型，加工方法简单，只需绕X轴旋转一次即可直接加工出最优晶体切型，样品制备简便。
一种稀土磷酸盐晶体压电及其高温传感领域中的应用

[发明专利]一种易剥离近自由态石墨烯及其制备方法和应用-CN202310071729.7在审
发明人：孙丽;王鹏;张雪;国星;李妍璐;程秀凤;于法鹏;赵显 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明属于二维材料制备领域，具体涉及一种易剥离近自由态石墨烯及其制备方法和应用。本发明首先通过控制工艺选择性制备具有不同指数面的金属衬底，并以此为衬底经过化学气相沉积生长石墨烯薄膜，生长完成后进行后处理，通过调控后处理的反应温度和时间，在石墨烯与金属衬底界面处发生反应，于界面处形成钝化层，从而直接削弱石墨烯与金属衬底之间的强相互作用，实现石墨烯在金属衬底上的解耦，得到易剥离近自由态石墨烯。本发明通过设计并调整生长工艺和后处理过程，在不引入其他杂质的前提下，显著降低了石墨烯与衬底之间的相互作用，直接制备得到易剥离近自由态石墨烯，剥离转移后的石墨烯能够广泛应用在半导体电子器件及能源转化领域。
一种剥离自由石墨及其制备方法应用

[发明专利]一种利用硫束流解耦技术制备易剥离近自由态石墨烯的方法-CN202110210910.2有效
发明人： 李妍璐;孙秀彩;张雪;国星;孙丽;程秀凤;于法鹏;赵显 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C01B32/19 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用硫束流解耦技术制备易剥离近自由态石墨烯的方法，本发明的方法在传统CVD制备石墨烯方法的基础上，采用双温区CVD管式炉进行，在管式炉的低温区放置硫源使硫蒸发以提供硫束流，通过控制反应温度和反应时间，使高温区的石墨烯和金属界面形成硫化层，硫化层的形成削弱了石墨烯与衬底的耦合作用，实现了石墨烯在金属衬底上的解耦，使石墨烯很容易从衬底上剥离，从而制备得到近自由态的高质量石墨烯。
一种利用硫束流解耦技术制备剥离自由石墨方法

[发明专利]调控硅酸钛钡晶体相变温度和压电性能的方法及剪切式振动传感器-CN202111044485.0有效
发明人：于法鹏;姜超;李妍璐;孙丽;赵显 -专利权人：山东本源晶体科技有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种调控硅酸钛钡晶体相变温度和压电性能的方法及剪切式振动传感器。方法包括如下步骤：硅酸钛锶钡的通式为Ba2‑xSrxTiSi2O8，其中，0.1x1.0，按该通式中的化学计量比配料，制备多晶料；将多晶料融化，加入籽晶生长晶体，所述籽晶为硅酸钛钡籽晶，籽晶方向应为Z方向，将生长得到的晶体退火，获得硅酸钛锶钡晶体。制备得到的锶掺杂硅酸钛钡晶体的介电和压电性能及其温度稳定性相较于未掺杂的硅酸钛钡晶体有了较大提升，利用硅酸钛锶钡晶体制备的剪切式振动传感器，压电灵敏度在室温至600℃范围内具有优异的温度稳定性。
调控硅酸晶体相变温度压电性能方法剪切振动传感器

[发明专利]基于Cu2O介质层生长单层单晶石墨烯的方法-CN202110808614.2有效
发明人：于法鹏;张雪;国星;孙丽;王鹏;李妍璐;赵显 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于Cu2O介质层生长单层单晶石墨烯的方法，该方法将铜箔经预氧化和氢气处理后，在表面制备出一层薄Cu2O介质层，再以Cu2O介质层为基底进行生长石墨烯，使石墨烯生长机制由边缘附着限制变为扩散限制，可显著降低石墨烯的成核密度，同时相对于纯铜箔来说，Cu2O介质层能够减少碳原子的亚表面吸附，有效阻止第二层石墨烯的成核生长，保证单层单晶石墨烯生长。本发明的方法有效减少了铜箔晶界的数量，同时使其变为统一(111)晶面，平坦少晶界的铜箔表面为石墨烯的生长提供了良好的生长环境，同时Cu2O介质层可以降低石墨烯成核密度，加快其生长速度，同时显著抑制石墨烯第二层成核，便于大尺寸单层单晶石墨烯生长。
基于 cu2o 介质生长单层晶石方法

[发明专利]一种调控腔体压强制备高质量单晶畴二维材料的方法-CN202111288448.4有效
发明人：孙丽;王鹏;张雪;国星;于法鹏;李妍璐;赵显 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C30B29/64 文献下载
摘要：本发明属于二维材料的制备技术领域，具体涉及一种调控腔体压强制备高质量单晶畴二维材料的方法，包括：将衬底置于反应炉腔内进行真空清洗；然后，通入载流气体，调节炉腔压强为低压，升温至前驱体分解温度；接着，通入反应气体，保持腔体压强为低压，进行二维材料的形核与初步横向生长；之后，将腔体压强调高至常压进行快速生长，再将腔体压强调低，稳定生长；最后，在载流气体氛围下降温，得到具有规则形貌的大尺寸单晶畴二维材料。通过在生长阶段调节腔体压强，改善CVD系统中的组分运输，加强物质间的相互作用，进而获得高质量、大尺寸单晶畴二维材料。
一种调控压强制备质量单晶畴二维材料方法

[发明专利]一种基于化学气相沉积制备大尺寸单晶二维材料的方法-CN202111037976.2有效
发明人：赵显;孙丽;王鹏;国星;张雪;李妍璐;于法鹏 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明属于二维材料制备领域，具体涉及一种基于化学气相沉积制备大尺寸单晶二维材料的方法。所述方法为：采用载气A和载气B混合作为载流气体，先通过设定载气A和载气B的比例构造出近平微凸温场，再调整二者的比例构造出平温场，经过化学气相沉积获得大尺寸单晶二维材料；所述载气A为惰性气体，载气B为与载气A热导率不同的气体。本发明通过在反应室内引入不参加二维材料化学反应生成、且热导率不同的气体，在加强物质间相互作用的同时，有效对反应腔内的温场进行调控，设计并实现了在二维材料生长区域内凸温场向平温场的转变，充分提供温度驱动力，进而促进二维材料核的横向长大，最终获得高质量的大尺寸单晶二维材料。
一种基于化学沉积制备尺寸二维材料方法

[发明专利]磷酸钇锶晶体及其制备方法与应用-CN201910517507.7有效
发明人：于法鹏;武广达;李芳林;樊梦迪;李妍璐;程秀凤;赵显 -专利权人：山东大学
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本发明涉及磷酸钇锶晶体及其制备方法与应用。磷酸钇锶晶体的化学式为Sr3Y(PO4)3，该晶体为非中心对称结构，属于立方晶系‑43m点群。所述的磷酸钇锶晶体的制备方法，包括：合成磷酸钇锶多晶料，升温熔化得到熔化均匀的磷酸钇锶熔液；采用铱金棒或磷酸钇锶晶体作为籽晶，使所述籽晶底端与所述磷酸钇锶熔液刚好接触，采用提拉法进行单晶生长，单晶生长温度1700‑1850℃。所述磷酸钇锶晶体熔点高于1800℃，且从室温到熔点无相变，化学性质稳定，不潮解，因此在高温压电和宽温区非线性光学领域具有明显应用优势。
磷酸晶体及其制备方法应用

[发明专利]铌酸锂晶体压电切型及其在高温压电超声换能器中的应用-CN202111044175.9在审
发明人：于法鹏;王国良;谢琳芳;姜超;刘学良;李妍璐;赵显 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G01N29/04 文献下载
摘要：本发明公开了铌酸锂晶体压电切型及其在高温压电超声换能器中的应用，其中，铌酸锂晶体压电切型为XZt/θ，10°≤θ≤40°，其X向尺寸、Y向尺寸、Z向尺寸比例为2.9～3.1:1:2.9～3.1。最优压电切型的有效压电常数d*15≥75.2pC/N，在20～500℃范围变化率低于15％。利用该最优切型设计高温压电超声换能器，经过高温性能验证，本发明制备的压电超声换能器能够在20～500℃范围内稳定工作，且在500℃时具有较高的监测灵敏度，满足大型工业设备宽温域结构健康监测要求。
铌酸锂晶体压电及其高温超声换能器中的应用

[发明专利]一种预处理SiC衬底外延制备石墨烯及石墨烯器件的方法-CN201810538500.9有效
发明人：孙丽;于法鹏;刘振兴;李妍璐;程秀凤;陈秀芳;赵显 -专利权人：山东大学
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种预处理SiC衬底外延制备石墨烯及石墨烯器件的方法。包括步骤：将SiC衬底进行氢刻蚀，然后对氢刻蚀之后的SiC衬底进行氧化处理，温度800～1300℃，处理时间15～120min；然后于惰性气氛下，在预处理后的SiC衬底上升温至1450～1700℃进行石墨烯生长。本发明通过氧化预处理以钝化SiC表面，降低了SiC衬底外延生长石墨烯的成核密度，从而获得尺寸更大、性能更好的石墨烯材料，并在此基础上将SiC外延石墨烯晶片进行淀积、光刻、掺杂和集成程序，制备成相应的石墨烯器件。
一种预处理 sic 衬底外延制备石墨器件方法

[发明专利]一种在n型4H/6H-SiC硅面上制备周期性石墨烯PN结的方法-CN201910093921.X有效
发明人：陈秀芳;秦笑;徐现刚;李妍璐;赵显 -专利权人：山东大学
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种在n型4H/6H‑SiC硅面上制备周期性石墨烯PN结的方法，属于微电子材料技术领域，方法包括步骤：将偏轴4°半绝缘和正向n型的4H/6H‑SiC的硅面晶片进行化学机械抛光及化学清洗，在偏轴4°半绝缘的SiC晶片上制备n型单层石墨烯，经过剥离步骤获得n型单层石墨烯微米条带，在n型SiC衬底上制备p型单层石墨烯微米条带，将n型单层石墨烯微米条带对准后放置在p型单层石墨烯微米条带上，施加压力，并将样品放置在加热台上加热，胶带脱离后获得周期性PN结。本方法易于控制，通过精确控制生长压力、时间等，最终在n型4H/6H‑SiC衬底的Si面上获得了表面形貌均匀的高质量周期性石墨烯PN结。
一种 sic 面上制备周期性石墨 pn 方法

[发明专利]一种以六方氮化硼为点籽晶生长大晶畴石墨烯的方法-CN201710399638.0有效
发明人：于法鹏;张晶;杨志远;孙丽;李妍璐;程秀凤;赵显 -专利权人：山东大学
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：本发明涉及一种以六方氮化硼为点籽晶在衬底上生长大尺寸石墨烯晶畴的方法，该方法以氮化硼作为点籽晶生长石墨烯，有利于与石墨烯形成异质结，石墨烯沿着氮化硼籽晶的外沿继续原位生长，控制六方氮化硼溶液的浓度，确保石墨烯的成核密度，避免了传统CVD工艺在衬底上生长石墨烯非相关成核点的自重构，显著提高了石墨烯生长质量。
一种氮化籽晶生长大晶畴石墨方法

[发明专利]一种高温压电振动传感器-CN201611236683.6有效
发明人：于法鹏;田世伟;马庆宇;张树君;李妍璐;程秀凤;段秀兰;陈菲菲;王正平;赵显 -专利权人：山东大学;山东本源晶体科技有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： G01H11/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种高温压电振动传感器，包括：底座；外壳，底座上连接外壳，形成压电振动传感器的密封内腔；固定在底座上的陶瓷棒；依次套放在陶瓷棒上的多片压电晶片、金属块、绝缘片、穿有高温引线的预紧件；两路电极线，放置在压电晶片之间；压电晶片为(XYw/45°)切YGdCOB晶片。(XYw/45°)切YGdCOB晶片的有效压电常数为～5pC/N，室温到1000℃范围，压电常数变化率低于5％，加工平整度误差小于0.02mm，具有特别优异的高温压电性能及温度稳定性，使得压电振动传感器耐高温高达600℃以上。
压电振动传感器底座压电常数压电晶片陶瓷棒晶片多片压电晶片温度稳定性高温引线连接外壳密封内腔压电性能变化率电极线金属块绝缘片耐高温平整度预紧件两路加工

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