[发明专利]包括介电层的腔体内部的基极层的部分的双极结型晶体管在审
| 申请号： | 202210954871.1 | 申请日： | 2022-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN115799327A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | S·M·潘迪;J·辛格;J·霍尔特 | 申请（专利权）人： | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及包括介电层的腔体内部的基极层的部分的双极结型晶体管，揭示用于双极结型晶体管的结构以及形成用于双极结型晶体管的结构的方法。该结构包括具有腔体的介电层、位于该介电层上的第一半导体层、包括位于该第一半导体层上的部分的集电极、包括位于该第一半导体层上的部分的发射极、以及包括位于该腔体中的第一段以及第二段的第二半导体层。该第二半导体层的该第二段横向位于该集电极的该部分与该发射极的该部分间。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 介电层 体内 基极 部分 双极结型 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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