[发明专利]包括介电层的腔体内部的基极层的部分的双极结型晶体管

权利要求书

1.一种用于双极结型晶体管的结构，其特征在于，该结构包括：

介电层，包括腔体；

第一半导体层，位于该介电层上；

集电极，包括位于该第一半导体层上的第一部分；

发射极，包括位于该第一半导体层上的第一部分；以及

第二半导体层，包括位于该腔体中的第一段，以及第二段，该第二半导体层的该第二段横向位于该集电极的该第一部分与该发射极的该第一部分间。

2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第二半导体层的该第二段穿过该第一半导体层延伸至该第二半导体层的该第一段。

3.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：

操作衬底，

其中，该介电层包括将该腔体与该操作衬底隔开的部分。

4.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第二半导体层的该第二段提供该双极结型晶体管的本征基极。

5.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该介电层由介电材料组成，且该腔体嵌埋于该介电层的该介电材料中。

6.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：

第一介电间隙壁，横向位于该第二半导体层的该第一段与该集电极的该第一部分间；以及

第二介电间隙壁，横向位于该第二半导体层的该第一段与该发射极的该第一部分间。

7.如权利要求6所述的结构，其特征在于，该集电极包括位于该第一半导体层中的第二部分，该发射极包括位于该第一半导体层中的第二部分，且该第二半导体层的该第二段直接接触该集电极的该第二部分以及该发射极的该第二部分。

8.如权利要求6所述的结构，其特征在于，还包括：

气隙，位于该腔体中，

其中，该第二半导体层的该第一段与该气隙共用该腔体。

9.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：

气隙，位于该腔体中，

其中，该第二半导体层的该第一段与该气隙共用该腔体。

10.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第二半导体层的该第一段与该第二段包含不同浓度的掺杂物。

11.如权利要求1所述的结构，其特征在于，与该第二半导体层的该第二段相比，该第二半导体层的该第一段具有较高的掺杂物浓度。

12.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第二半导体层的该第一段及/或该第二段包含梯度浓度的掺杂物。

13.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第二半导体层由单晶半导体材料组成。

14.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第二半导体层的该第一段及该第二半导体层的该第二段沿第一方向布置，且该第二半导体层的该第一段沿横截于该第一方向的第二方向而比该第二半导体层的该第二段宽。

15.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第二半导体层的该第二段直接接触该集电极的该第一部分以及该发射极的该第一部分。

16.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第二半导体层包括横向延伸超出该集电极的该第一部分及该发射极的该第一部分的端部，且还包括：

接触件，与该端部物理且电性连接。