[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202210949682.5 | 申请日： | 2022-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN115706147A | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 纳文·加纳戈纳;张基松 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/861;H01L21/329;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王琳;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种半导体器件及其制作方法。一种半导体器件包括背侧触点和衬底。外延场阑区可形成在衬底上，具有随着与衬底的距离增大而减小的渐变掺杂分布，并且外延漂移区可与外延场阑区相邻地形成。前侧器件可形成在外延漂移区上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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