[发明专利]一种降低碳化硅单晶内部碳包裹体缺陷密度的方法在审
| 申请号： | 202210936589.0 | 申请日： | 2022-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN115261991A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 张小刚;王胜亚;于文明 | 申请（专利权）人： | 江苏芯恒惟业电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 上海得民颂知识产权代理有限公司 31379 | 代理人： | 傅云 |
| 地址： | 215335 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明涉及一种降低碳化硅单晶内部碳包裹体缺陷密度的方法，属于碳化硅单晶制备技术领域，包括以下步骤：制备碳化钽和五氧化二钽的颗粒混合物、烧结、除残、隔离、制备碳化硅单晶。本发明采用耐腐蚀、熔点高、孔隙均匀的钽多孔块体替代了粉料区域上部呈分散状的碳化硅粉料，钽多孔块体孔隙的孔径为0.1‑50μm，不仅可以有效阻止粉料中的残余碳随气流的上升，还可以保证Si(g)、Si |
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| 搜索关键词： | 一种 降低 碳化硅 内部 包裹 缺陷 密度 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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