[发明专利]耦合半导体裸片的方法和对应的半导体器件在审
| 申请号： | 202210909718.7 | 申请日： | 2022-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN115700904A | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | A·艾伯蒂内蒂;M·阿莱西 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/60;H01L23/535;B23K26/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 丁君军 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及耦合半导体裸片的方法和对应的半导体器件。激光直接成型(LDS)材料封装被模制到其上布置有第一半导体裸片和第二半导体裸片的衬底上。激光束能量被应用于LDS材料封装的表面，以在其中构造穿过LDS材料延伸到第一半导体裸片和第二半导体裸片的裸片通孔和在裸片通孔之间的LDS材料的表面处延伸的裸片到裸片线。激光诱导正向转移(LIFT)处理被应用于将导电材料转移到裸片通孔和在裸片通孔之间延伸的裸片到裸片线。无电镀生长在裸片通孔上和裸片到裸片线上的导电材料层有助于改进经由LIFT处理转移的导电材料的粘附性。 | ||
| 搜索关键词： | 耦合 半导体 方法 对应 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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