[发明专利]耦合半导体裸片的方法和对应的半导体器件

权利要求书

1.一种方法，包括：

在衬底上布置第一半导体裸片和第二半导体裸片；

将激光直接成型LDS材料封装模制到所述第一半导体裸片上和所述第二半导体裸片上，所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片被布置在所述衬底上，所述LDS材料封装具有与所述衬底相对的表面；

在所述第一半导体裸片与所述第二半导体裸片之间提供导电的至少一个裸片到裸片耦合结构，所述至少一个裸片到裸片耦合结构包括：裸片通孔，所述裸片通孔在所述LDS材料封装的、与所述衬底相对的所述表面与所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片之间延伸穿过所述LDS材料；以及裸片到裸片线，所述裸片到裸片线在所述LDS材料封装的、与所述衬底相对的所述表面处延伸并且耦合所述裸片通孔；

其中提供导电的所述至少一个裸片到裸片耦合结构包括：

将激光束能量应用于所述LDS材料封装的、与所述衬底相对的所述表面的选定位置，以激光激活和构造所述LDS材料封装中的所述裸片通孔和所述裸片到裸片线；以及

应用激光诱导正向转移LIFT处理，以将导电材料转移到所述裸片通孔上和在所述裸片通孔之间延伸的所述裸片到裸片线上。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：烧结转移到所述裸片通孔上和转移到在所述裸片通孔之间延伸的所述裸片到裸片线上的所述导电材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中将LIFT处理应用于所述裸片通孔和在所述裸片通孔之间延伸的所述裸片到裸片线将由铜或银制成的金属材料转移到所述裸片通孔上和在所述裸片通孔之间延伸的所述裸片到裸片线上。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在应用激光束能量之后并且在应用LIFT处理之前，将导电层无电镀地生长到所述裸片通孔上以及所述裸片到裸片线上；其中转移到所述裸片通孔上和转移到在所述裸片通孔之间延伸的所述裸片到裸片线上的所述导电材料被应用于所述导电层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中布置包括：在所述衬底中的至少一个裸片焊盘上布置所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片，所述衬底包括围绕所述至少一个裸片焊盘的导电引线阵列，

并且方法进一步包括：将LDS处理应用于所述LDS材料封装以提供裸片到引线导电结构，所述裸片到引线导电结构将所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片与所述导电引线阵列中的导电引线中的选定的导电引线耦合，其中所述裸片到引线导电结构包括：

第一通孔，所述第一通孔在所述LDS材料封装的、与所述衬底相对的所述表面与所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片中的一个半导体裸片和另一个半导体裸片之间延伸穿过所述LDS材料；

第二通孔，所述第二通孔在所述LDS材料封装的、与所述衬底相对的所述表面与所述导电引线阵列中的导电引线中的选定导电引线之间延伸穿过所述LDS材料；以及

导电线，所述导电线在所述LDS材料封装的、与所述衬底相对的所述表面处在所述第一通孔中的选定通孔与所述第二通孔中的选定的孔之间延伸。

6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括：在应用激光束能量之后并且在应用LIFT处理之前：

将导电材料层无电镀地生长到所述裸片通孔上、所述裸片到裸片线上、所述第一通孔上、所述第二通孔上和所述导电线上；以及

然后在所述第一通孔处、所述第二通孔处和所述电导线处将导电材料电镀到经无电镀生长的所述导电材料层上；

其中转移到所述裸片通孔上和转移到在所述裸片通孔之间延伸的所述裸片到裸片线上的所述导电材料被应用于经无电镀生长的所述导电材料层。