[发明专利]耦合半导体裸片的方法和对应的半导体器件

说明书

本公开涉及耦合半导体裸片的方法和对应的半导体器件。激光直接成型(LDS)材料封装被模制到其上布置有第一半导体裸片和第二半导体裸片的衬底上。激光束能量被应用于LDS材料封装的表面，以在其中构造穿过LDS材料延伸到第一半导体裸片和第二半导体裸片的裸片通孔和在裸片通孔之间的LDS材料的表面处延伸的裸片到裸片线。激光诱导正向转移(LIFT)处理被应用于将导电材料转移到裸片通孔和在裸片通孔之间延伸的裸片到裸片线。无电镀生长在裸片通孔上和裸片到裸片线上的导电材料层有助于改进经由LIFT处理转移的导电材料的粘附性。

相关申请的交叉应用

本申请要求2021年7月30日提交的意大利专利申请号102021000020540的优先权，该申请的内容在法律允许的最大程度上通过引用整体并入本文。

技术领域

本说明书涉及半导体器件。

一个或多个实施例可以被应用于包括裸片到裸片连接的半导体器件。

包括集成在一个或多个芯片载体封装中的多个电路的系统级封装(SiP)器件可以是这种器件的示例。

背景技术

例如，诸如功率器件的各种类型的半导体器件可以包含裸片到裸片耦合。

期望功率半导体芯片或裸片(例如氮化镓或氮化镓)被连接到使用BCD(双极－CMOS－DMOS)技术制造的驱动器芯片或裸片的器件可以是这种情况的示例。

激光直接成型(LDS)技术最近被提出以代替在半导体器件中提供裸片到引线电连接的常规引线接合。

在目前执行的激光直接成型技术中，在LDS材料的激光束成型(激活)之后，通过无电金属化和电镀使诸如通孔和迹线的结构的导电性变得容易，以达到诸如铜的金属材料的数十微米的金属化厚度。

在试图将LDS技术应用于裸片到裸片耦合时出现的问题在于相关联的导电图案是电浮动节点。

因此，预期使用电镀来促进经由LDS技术构造的导电结构(通孔和/或线或迹线)的充分导电性阻碍了将LDS技术的使用从裸片到引线耦合扩展到裸片到裸片耦合。

在本领域中需要为充分地处理这样的问题做出贡献。

发明内容

一个或多个实施例涉及一种方法。

一个或多个实施例涉及对应的半导体器件。诸如包括多个相互耦合的半导体芯片或裸片的功率器件的半导体器件可以是这种器件的示例。

一个或多个实施例将激光直接成型技术(包括电镀)与激光诱导正向转移(LIFT)技术相结合。

LIFT技术可以被用于完成裸片到裸片互连中的通孔/迹线的生长(填充)。

一个或多个实施例可以受益于如下事实：如目前在LDS技术中使用的无电底层促进LIFT材料到(LDS)模制化合物的粘附。

附图说明

现在将参考附图仅以举例的方式描述一个或多个实施例，其中：

图1是激光直接成型(LDS)技术对制造半导体器件的可能应用的示例；

图2是根据本说明书的实施例的半导体器件的截面图；

图3是本说明书的实施例中的可能步骤的示例性流程图；

图4A和4B示意性地表示图3的流程图中的某些步骤的结果；

图5是用于实现本说明书的实施例的机械布局的示意图；以及

图6是根据本说明书的实施例的方法中的可能结果的进一步示例。

具体实施方式