[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210901370.7 | 申请日： | 2022-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN116230749A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 乔治奥斯·韦理安尼堤斯;奥雷斯特·马迪亚;荷尔本·朵尔伯斯;马可·范·达尔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/786;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 场效应晶体管可以包括有源层，该有源层包含至少两种原子元素的氧化物化合物材料并且位于衬底上方，至少两种原子元素包括锡的第一元素和选自Ge、Si、P、S、F、Ti、Cs和Na的第二元素。场效应晶体管还可以包括位于有源层上的栅极电介质、位于栅极电介质上的栅电极以及接触有源层的相应部分的源电极和漏电极。氧化物化合物材料可以包括至少锗和锡。氧化物化合物半导体材料可以用作BEOL结构中的p型半导体材料。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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