[发明专利]高压半导体开关在审
| 申请号： | 202210895243.0 | 申请日： | 2022-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN115694456A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 大卫·A·迪恩;保罗·M·沃金;克里斯多夫·兰格 | 申请（专利权）人： | 量子计算有限责任公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 程强;谢攀 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种高压半导体开关。高压半导体开关包括一个或更多个开关子电路，其中，每个开关子电路可以包括一个或更多个FET电路和电压移位晶体管。高压半导体开关可以基于操作和环境要求来配置，操作和环境要求例如量子计算系统的操作和环境要求，其中，高压开关可以位于低温恒温器或真空室中。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体 开关 | ||
【主权项】：
暂无信息
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